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器件型号：TPS1211-Q1 工具与软件：
嗨、团队：
我的客户希望使用 TPS12111-Q1来限制浪涌电流、并对预充电功能有疑问。
它们使用2个与主 FET 并联的 MOSFET。 在其应用中、负载电容器为2mF、浪涌电流约为100A、最大标称电流约为89A。 当电容器的电压高于特定电平(如7V 或8V)时、 负载将开始消耗电流、然后使电容器电压放电。 预充电 FET 需要承受大电流 这可能会损坏 FET。
他们现在在电路板上使用 TPS12110-Q1并保留了 TPS12111-Q1的设计。 他们希望知道在主 FET (Q1和 Q2)的栅极上添加 Rg 和 Cg 是否可行。 根据数据表、不建议这样做、因为两个 FET 的参数可能不同并会受到不同的浪涌电流的影响。
我们是否有类似应用方面的经验？ 与在主 FET 的栅极上添加 Rg 和 Cg 相比、在这种情况下、是否有更好的方法来限制浪涌电流？ 请注意、最终用例是区域控制模块、客户无法明确输出放电的电压阈值、因此他们无法通过输出电压监控来控制 INP 和 INP_G、并且预充电路径上没有电流检测。
另外、您还可以分享指导、说明如何得出以下公式3)？ 目标是了解我们是否可以支持足够的电流、以使用并联 FET 克服米勒区域。
谢谢
Scarlett
