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[参考译文] UCC21750:数字隔离器的隔离侧测量失败

Guru**** 2380860 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC21750
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1393327/ucc21750-failed-measurement-on-isolated-side-of-the-digital-isolator

器件型号:UCC21750

工具与软件:

大家好!  

我将尝试在 LTspice 上模拟 UCC21750栅极驱动器。  

我已经遵循数据表中给出的与此 IC 上的连接相关的所有建议、但是到目前为止、我还不能使模型工作。 仿真时间极长、无法观察到任何信号。  

我已经浏览过其他两个相关的帖子、但我看不到任何解决这个问题的办法。  

我在这里附上了我的模型的屏幕截图。

我非常感谢您提供任何帮助或建议。  

期待您的回复。  

此致、  

Kotsis

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    尊敬的 KKotsis:

    您可以尝试连接的型号吗? 这是一个很难得到正确的部分。 您最感兴趣的特性是什么? 您是否可以使用没有 APWM 引脚的模型进行调整?

    此致、

    Sean

    e2e.ti.com/.../0702.UCC21750.lib

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    您好!

    您共享的模型似乎比我从网站下载的模型运行得更好。 然而,我仍然得到一种我无法解释和解决的行为。  

    如果我仅假设有一个接地(假设为 LV_GND)、并将 IC 的两侧连接到该同一个接地、则栅极驱动器似乎可以正常工作。 您可以在我所附的图片中看到这一点。  

    但当我尝试在模型中包含 MOSFET 和 HV 系统、并尝试将两个接地(即 IC 初级侧的 LV GND 和次级侧的 HV GND)分开时、驱动器不再工作、其输出中的栅极脉冲如下图所示:  

    因此、我似乎无法找到我的错误所在、或者 UCC21750的连接方式缺失。  

    关于您的问题:我打算使用此 IC 作为 SiC MOSFET 模块的栅极驱动器(将使用两个 IC 用于高侧和低侧)、因此我将重点介绍 IC 的栅极驱动器功能。  

    表示。 目前、我可以根据没有 APWM 引脚的模型进行决定、尽管我也计划 在设计的栅极驱动器上使用该引脚(可能用于电压温度测量)。  

    期待收到您的回复。  

    BES 此致、

    Kotsis

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    尊敬的 KKotsis:

    我不知道分割的接地是如何工作的。 至少可以在两侧都低电压接地的情况下运行 MOSFET 吗?

    此致、

    Sean

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    你好、Sean、  

    我确实可以用低电压运行 MOSFET 并在两侧都具有相同的 GND。  

    但是、对于我的应用、我将使用高压、并且我想复制我打算设计的系统。  

    所以、在 LV 模拟系统并不能真正给我任何见解。  

    希望有一种方法可以解决我的问题。  

    此致、  

    Kotsis

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    您是否能够使用浮动电位的 VSSA 驱动半桥? 您可能只需要短接 VSSB 和 GND。 这仍然应该能为您提供见解。 我不为交叉通道干扰或任何类似的东西建模。  

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    你好 Sean、

    如果我有任何问题或结果、我将对此进行研究并再次发布。  

    此致、
    Kotsis