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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1395867/ucc21330-q1-reference-design-for-driving-high-side-fet-s-in-bms
工具与软件：
能否有人分享在 BMS 应用中使用隔离式栅极驱动器驱动高侧 MOSFET 的参考设计？
尊敬的 Bhuvaneswar：
我们没有能够满足您需求的确切参考设计。 不过、 TIDA-00159参考设计 展示了我们的一种采用简单紧凑型半桥配置的双通道隔离式栅极驱动器。
TIDA-01605参考设计 也是显示如何驱动高侧 FET 的半桥配置的良好参考。
虽然我们目前没有任何适用于 UCC21330-Q1等新器件的参考设计、但您可以浏览我们的其余隔离式双通道栅极驱动器产品系列(UCC21520-Q1、UCC21530-Q1、UCC21540-Q1、UCC21222-Q1、UCC21220-Q1、 等) 可以帮助您进行设计的参考设计。 这些应用程序都应遵循类似的应用设计、主要适用于 UCC21330-Q1。
希望这对您有所帮助。 请随时提出以下任何其他问题。
此致、
Hiroki
尊敬的 Hiroki： 感谢您分享参考设计。 与简单紧凑型半桥配置的参考设计相比、在电池应用中驱动高侧 MOSFET 时、我需要考虑哪些注意事项。 此致、 Bhuvaneswar
对于 UCC21330-Q1等简单的标准驱动器、其周围的栅极驱动器电路应该非常相似。 如果您的应用仅用于驱动高侧 MOSFET、则需要使用隔离式电源来驱动高侧 MOSFET。
第8款 详细介绍了栅极驱动器周围电路。
希望这能解答您的问题！
