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[参考译文] TPS763:不同输出电压下压降电压之间的差异

Guru**** 2382390 points
Other Parts Discussed in Thread: TPS763
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1398022/tps763-the-differences-between-dropout-voltage-for-different-output-voltage

器件型号:TPS763

工具与软件:

您好!

在数据表 https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tps763.pdf?ts = 1723106283834中 、我们可以找到表 11电气特性。 第6页上定义了   TPS76325 (Vout = 2.5V)、 TPS76333 (Vout = 3.3V)和 TPS76350 (Vout = 5.0V)的压降电压参数。  

对于相同的输出电流 、Iout = 100 mA 且 Tj = 25°C、典型的压降电压如下:
- 对于  TPS76325为240mV (Vout = 2.5V)。
- 对于  TPS76333为200mV (Vout = 3.3V)。
-对于  TPS76350为120mV (Vout = 5.0V)。

为什么对于 较高的输出电压、压差电压较低?
技术说明是什么?

此致
Radek

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    Radek、您好!

    TPS763具有 PMOS 导通元件。  为了调节所需的输出电压、反馈环路控制漏源电阻(R_DS)。 当 VIN 接近 VOUT (nom)时、误差放大器会将栅源电压(V_GS)驱动为更大的负值、以降低 RDS 并保持调节。  然而、在特定的 Vin 下、误差放大器输出将在接地端饱和、并且由于 R_DS 达到其最小值、因此无法将 V_GS 驱动得更负。  将该 R_DS 值与输出电流或 I_OUT 相乘、 可得到压降电压。 负 V_GS 越大、R_DS 越低。 通过增加 VIN、可以实现更负的 V_GS。 因此、PMOS 架构在较高输出电压下具有较低压降。

    请参阅 LDO 基础知识:压降 、了解详细的图解说明

    此致

    Ishaan