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工具与软件:
大家好!
我有关于 CSD18540Q5B 的问题。
CSD18540Q5B 能否具有100%占空比?
如果是、是否有任何文档显示此内容?
此致、
Ishiwata
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工具与软件:
大家好!
我有关于 CSD18540Q5B 的问题。
CSD18540Q5B 能否具有100%占空比?
如果是、是否有任何文档显示此内容?
此致、
Ishiwata
您好、Ishiwata-San、
感谢您的咨询。 CSD18540Q5B 的运行占空比没有限制。 限制因素是功率耗散和结温上升。 对于5x6mm SON 封装、最大功耗能力约为3W、而此 FET 的 TJmax 为175°C。 数据表中指定的最大持续电流根据下面链接中的技术文章计算得出。 如果您有任何其他问题、敬请告知。
https://www.ti.com/lit/ta / ssztcp0/ssztcp0/ ssztcp0.pdf
此致、
约翰·华莱士
TI FET 应用
尊敬的 Ishiwata:
您是否想问 CSD18540Q5B 是否满足这些要求? 答案是肯定的。 计算得出的 I²R 损耗非常低:~13mW。 CSD18540Q5B 的性能远高于所需性能、因此可以使用成本更低的 FET。 对于24V、您应该能够在较小的封装中使用较低电压的30V FET。 例如、CSD17382F4、采用 F4 FemtoFET (picostar)封装且传导损耗为~250mW 的30V N 沟道 FET 将是成本更低且尺寸更小的解决方案。 请告诉我、我还能为您提供哪些帮助。
谢谢!
John
您好、Ishiwata、
我仍然不确定文档中所描述的是什么意思。 唯一的文档是 MOSFET 数据表。 CSD18540Q5B 是一款尺寸为5x6mm 的60V FET、在 VGS = 4.5V 时、最大 RDS (on)= 3.3mΩ、在您之前发布的文章中发现、在满足电磁阀驱动要求方面、其设计过度且成本高昂。 对于24V 输入、30V FET 应正常工作、除非存在需要40V 或60V FET 的过冲或尖峰。 TI 对此应用有许多更小/更低成本的选择。 在应用中、电磁阀是以某个频率驱动还是静态开关(导通或关断)?
谢谢!
John