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[参考译文] CSD18540Q5B：100%占空比

admin
Guru**** 2386610 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD18540Q5B, CSD17382F4
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1392353/csd18540q5b-100-duty

器件型号：CSD18540Q5B
主题中讨论的其他器件： CSD17382F4

工具与软件：

大家好！

我有关于 CSD18540Q5B 的问题。

CSD18540Q5B 能否具有100%占空比？

如果是、是否有任何文档显示此内容？

此致、
Ishiwata

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    您好、Ishiwata-San、

    感谢您的咨询。 CSD18540Q5B 的运行占空比没有限制。 限制因素是功率耗散和结温上升。 对于5x6mm SON 封装、最大功耗能力约为3W、而此 FET 的 TJmax 为175°C。 数据表中指定的最大持续电流根据下面链接中的技术文章计算得出。 如果您有任何其他问题、敬请告知。

    https://www.ti.com/lit/ta / ssztcp0/ssztcp0/ ssztcp0.pdf

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    尊敬的 John：

    感谢您的答复。


    我还有一个问题。
    是否有符合以下条件的文档？

    - Vd: 24V
    - ID：1.8A
    - Vgs：4.8V
    - Ta= 70℃ (如果不可用, 25℃ 是可以的)

    此致、
    Ishiwata

  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
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    尊敬的 Ishiwata：

    您是否想问 CSD18540Q5B 是否满足这些要求？ 答案是肯定的。 计算得出的 I²R 损耗非常低：~13mW。 CSD18540Q5B 的性能远高于所需性能、因此可以使用成本更低的 FET。 对于24V、您应该能够在较小的封装中使用较低电压的30V FET。 例如、CSD17382F4、采用 F4 FemtoFET (picostar)封装且传导损耗为~250mW 的30V N 沟道 FET 将是成本更低且尺寸更小的解决方案。 请告诉我、我还能为您提供哪些帮助。

    谢谢！

    John

  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
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    尊敬的 John：


    感谢您的答复。

    没有文档、但我了解它可以使用。

    客户正在考虑使用 CSD18540Q5B 来驱动电磁阀。


    此致、
    Ishiwata

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    您好、Ishiwata、

    我仍然不确定文档中所描述的是什么意思。 唯一的文档是 MOSFET 数据表。 CSD18540Q5B 是一款尺寸为5x6mm 的60V FET、在 VGS = 4.5V 时、最大 RDS (on)= 3.3mΩ、在您之前发布的文章中发现、在满足电磁阀驱动要求方面、其设计过度且成本高昂。 对于24V 输入、30V FET 应正常工作、除非存在需要40V 或60V FET 的过冲或尖峰。 TI 对此应用有许多更小/更低成本的选择。 在应用中、电磁阀是以某个频率驱动还是静态开关(导通或关断)？

    谢谢！

    John

  • 0
    TI__Guru**** 2386610 points
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    您好、Ishiwata、

    跟进以查看您的问题是否已解决。 请告诉我。

    谢谢！

    John

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    TI__Guru**** 2386610 points
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    您好、Ishiwata、

    由于我尚未收到您的回复、因此我假设您的问题已得到解决、将关闭该主题。

    此致、

    John