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[参考译文] LM5160:LM5160

Guru**** 2382480 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1398367/lm5160-lm5160

器件型号:LM5160

工具与软件:

在 图中的:3中、Δ V t3:初级电流为负、这是可以理解的、但为什么电流 在时间 t0为正、我不明白这个开关路径。

www.ti.com/.../ssztcb7.pdf

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    尊敬的 Xiaofeng:

    感谢您发送编修。  请注意、模式3的持续时间非常短。  这基本上是高侧和侧 FET 均关断的死区时间、它是防止击穿的必要内部因素。

    请注意、如果将初级和次级电路组合在一起、Fly-Buck 电路仍相当于降压转换器。  如红色电流曲线所示、总电感器电流仍满足降压操作要求。  在模式2中、总电感器电流是 pri 电流和 sec 电流的总和(请注意极性点)、当 pri 负载为0时、pri 电感器电流看起来就像蓝色曲线。    

    任意、在 t0处、仅高侧 FET 导通、低侧和二次侧二极管均关断、总等效电流会流过初级绕组、结果为正。  

    不过、如果您在进入"DCM"的轻负载下运行、在 t0处、初级电感器将为负值。   您可以在我们的 EVM 上进行测试或运行一些仿真、以便更好地了解这种现象。  

    希望这一点得到澄清。

    此致、

    Youhao

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    我的)是(如箭头2所示):在死区时间期间、初级电流将保持为负、直到电流继续流向0。、而当高侧 MOS 导通时、它将为正
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    n‘t 我无法找到 可以在 死区时间内反转电流方向的电压差

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    对不起,我删除了一个不准确的答案,让我再次在这里回复。  

    首先、请注意、初级负电流意味着电流向下流入低侧 FET 的漏极。  如果我的话会让您混淆、请画出原理图和电流方向。  另请注意、电感器看到的电压 SW-SW- VOUT。

    在死区时间期间、低侧 FET 关断、其通道立即停止电流、向下流动的电流将对固有的漏源电容器充电、以提高 SW 电压。 在此过程中、您将看到电感器电压 SW-Vout 会发生变化、如图3所示。  

    希望这一点得到澄清。

    此致、

    Youhao

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    我的意思是:在死区时间(模式3)中,为什么电流方向从 负?变为正?

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    在模式3开始时低侧 FET 关断后、 SW 电压将在模式3下上升、 导致次级二极管反向偏置并停止次级电流、这意味着反射的次级电流消失、初级电流将稳定到常规降压电流、这在图中是正值。   

    我建议您监控电路上的信号、或者在我的答案不够清晰时运行 TINA 或 PSpice 仿真。

    谢谢!

    Youhao