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器件型号:UCC21530-Q1 工具与软件:
嗨、团队!
您能否解释一下如何理解这一点:
- 当驱动器芯片无法检测到栅极电压时、如何确定开关处于米勒电平(发生 DVDT 的阶段)?
- 这种升压技术是否适合不同类型的 MOS 和 IGBT?
- 该提升时间可以持续多长时间?
另一种是米勒钳位:
该函数是如何实现的?
此致、
Josh Wei
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工具与软件:
嗨、团队!
您能否解释一下如何理解这一点:
另一种是米勒钳位:
该函数是如何实现的?
此致、
Josh Wei
尊敬的 Josh:
1.) 这是在栅极驱动器的输出级设计的。 输出级上用于高侧 MOSFET 设计并联的 P 沟道 MOSFET 和 N 沟道 MOSFET 允许发生这种情况。 与 PMOS 的较高内部电阻相比、NMOS 允许高电流流过。
2.) NMOS 进行的这种升压适用于所有类型的 MOSFET 负载。
3.) 升压持续时间取决于 MOSFET 负载导通特性。 这种升压发生在米勒平坦区域、该区域因不同的 FET 而异。
当 UVLO 被触发时、低侧 NMOS 必须开启并保持开启状态。 在本例中是图中的输出控制块 图8-1. 数据表中的输出 NMOS 的阈值电压以将其打开。 遗憾的是、我没有有关输出控制块内部设计的详细信息。
希望这对您有所帮助。
此致、
Hiroki