[参考译文] UCC21732：基于去饱和电路的过流和短路保护

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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1402546/ucc21732-overcurrent-and-short-circuit-protection-based-on-desaturation-circuit

器件型号：UCC21732

工具与软件：

专家们、您好！

在 UCC21732栅极驱动器数据表中、过流电压阈值是0.7V、那么我的问题是：该0.7电流电压阈值是否适用于所有类型的电压负载和负载侧的电流？
设计规格为400Vdc 和200A。我的 MOSFET 可以支持40A。我不知道如何将我的实际参数和应用与 UCC21732驱动器规格相关联、例如基于去饱和情况的过流和短路保护。

如何选择 R1、R2、R3和 Cblk 的值？

请就以上几点提供见解

好的
Biruk

1 年多前

0 admin 1 年多前

TI__Guru**** 2380860 points

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您好 Biruk、

请查看此处链接的 UCC217XX Excel 计算器。如果使用 OC-AS DESAT 方法、首先要确定器件在何种 VDS 阈值下被视为过流。您可能需要在整个温度范围内测试该参数。然后、确定系统可以很好地承受而不会导致器件损坏的最长消隐时间和关断时间。通常、SiC FET 可以在 DESAT 和 SHUTDOWN 之间承受~2-3us 的容差。

对上述所需参数进行合理估算后、在 Excel 计算器中调整电阻器和 Cblk 大小、随后将输出 VDS 检测阈值和消隐时间。根据需要在最终系统中进行调整。

谢谢！

Vivian

电源管理（参考译文帖）

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