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[参考译文] CSD19538Q3A:防止破损的措施

Guru**** 2390735 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD19538Q3A, TPS23521

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1402417/csd19538q3a-measures-to-prevent-breakage

器件型号:CSD19538Q3A
Thread 中讨论的其他器件: TPS23521

工具与软件:

大家好

当输出短路时、CSD19538Q3A (FET1)和 TPS23521损坏。

有没有办法解决这个问题?

下面是简化电路图。

损坏的原因是 FET 配置为两级配置、因此 FET2开始限制电流。

FET2的 S 和 D 之间的电阻增大、导致 FET2漏极的电压增大。

FET2的漏极是 FET1的源极(CSD19538Q3A)、因此随着源极电压增加、FET1的 G 和 S (CSD19538Q3A)之间的电压将降低、导致栅极电压降低。

这会导致 FET1的 S 和 D (CSD19538Q3A)之间的电阻增加、负载集中在 FET1 (CSD19538Q3A)上、导致其损坏。


请告诉我是否有任何好的方法来防止损坏。

此致、
Ishiwata

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    您好、Ishiwata、

    感谢您的咨询。 FET 需要 VGS >= 6V 才能保证导通电阻。 如数据表第1页所示、如果 VGS < 6V、导通电阻开始呈指数级增加、因为 VGS 降低。 我将把该线程重新分配给热插拔应用团队、以便为您提供帮助。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    您好、Ishiwata、

    谁建议使用此配置? 您能否分享一些测试波形

    BR、

    Rakesh