尊敬的 Hiroki：

感谢您的答复。  

关于 UCC21550数据表第31页中的第5点、

"当非理想 PCB 布局和较长的封装引线(例如、
TO-220和 TO-247型封装)时、电源的栅源驱动电压可能会出现振铃
高 di/dt 和 dv/dt 开关期间关断晶体管。 如果振铃超过阈值电压、则存在风险
意外导通甚至击穿。 在栅极驱动上施加负偏置是一种常用的保持方式
低于阈值时就会出现振铃。 下面是实施负栅极驱动偏置的一些示例。"

这意味着负栅极驱动偏置至关重要。 我当前有一个主题中讨论过的问题：  

UCC21550：第2部分：UCC21550不工作的半桥电路

也许在 VSSA/B 处添加负偏置将有助于确保不会由于 VGS 中出现的高尖峰而导致意外导通或击穿、使其高于栅极阈值。  

此致、

明亮

此外、对于 UCC21550第33页图8.4中的应用示例

6)齐纳二极管 Vz 和电容器 CZ 如何在关闭期间产生负偏置

7) 7)齐纳二极管 vz 和电容器 CZ 的值是多少？   

此致、

明亮

尊敬的 Bright、

我同意负偏置电压会帮助增加裕度来防止输出引脚上的噪声意外导通。 不过、我注意到您在另一主题中提供的波形中有几个注意事项：

• 在空载条件下、波形是干净的。
• 44V 有一些噪声、但48V 有很多噪声。
  • 这看起来像是功率级的问题
  • 即使使用负偏置来增加意外导通的裕度、这种类型的噪声也可能会引入其他问题。 我想找到该噪声的来源。

关于您的其他问题：

6.) 几个周期后、电容器 CZ 在其上产生了电压、此电压由齐纳反向电压钳位。 这会导致输出波形因 CZ 的电压电荷而下移。 这种负漂移会增加阈值电压的裕度、以导通 MOSFET。

7.) 选择的齐纳二极管应具有负偏置所需的反向电压。 选择的电容器应能够保存开关周期中的电荷。  

此致、

Hiroki

尊敬的 Hiroki：

谢谢你。  

我将向您通报最新情况

此致、

明亮