[参考译文] BQ34210-Q1：无法使用 I2C 接口在 BQ34210-Q1中设置完全充电容量

Evan、您好！

感谢您的答复

我尝试了以上步骤。

完全充电容量的值不变。

我们正在将"设计容量"设置为"301" 10000 mA

电流设置为3.7、这是默认值

但当我们读取剩余容量时、它从3950 mA 中开始

显示2200 mA 十六进制值

相对变化状态不会改变、因为充满电容量小于 Design Capacity、因此它始终显示为0。

请根据我们后续的 BQ34210-Q1文档(sluube8.pdf)指导我们执行以下步骤。

在本文档中、它们提供了完全充电容量的初始值直接复制或与 ROM CEDV 曲线相同。  

我分享了我上面提到的要点的截图

谢谢你。

您好！

您能否共享您的.srec？

您是否还可以共享 Remcap/FCC/SOC 错误的日志文件？

是在有效学习周期后纠正 FCC。

此致、

Evan

Evan、您好！

我们没有 BQ34210-Q1 EVK。 而且我们不会使用 BQStudio 进行配置和读取。

我们使用 I2C 命令使用 TI MCU 手动配置。  

问题是、我们可以配置 Design Capacity 值、但不能配置 Full Charge Capacity 值。

我们尝试了第一个配置文件中的两个配置文件、设计容量值将默认设置为2200、第二个设置为1400。

我们无法使用 config 方法进行更新。  

对于充满电容量、我们使用以下命令进行配置

WR 0xAA 0x00 0x14 0x00

WR 0xAA 0x00 0x72 0x36 //解封

WR 0xAA 0x00 0x90 0x00 //进入配置模式

//将通过读取0x3B 来检查操作状态

//一旦它进入解封  

WR 0xAA 0x3E 0x47  

WR 0xAA 0x3F 0x93

RD 0xAB 0x40 0x08读取旧的 MSB 值

RD 0xAB 0x41 0x98读取旧的 LSB 值

RD 0xAB 0x60 0x2E 读取旧校验和

RD 0xAB 0x61 0x24读取旧长度

我要将满电荷容量设置为联络10000 mA

因此、我的值将是0x2710

WR 0xAA 0x40 0x27  

WR 0xAA 0x41 0x10 //写入新的 MSB 和 LSB 值

WR 0xAA 0x60 0x97 //根据计算得出的新校验和值

WR 0xAA 0x61 0x24 //写入新的校验和长度

WR 0xAA 0x91 0x00 //退出配置模式

WR 0xAA 0x30 0x00 //密封

上述命令用于配置或更改完全充电容量  

但当我们读取0x12和0x13时、我们无法读取更改后的值。 它仍然是默认的一个2200 mA

我想知道开始 BQ34210-Q1学习周期的所有步骤。  

谢谢你。

Evan、您好！

我们按照数据表中给出的以下过程进行操作。  

谢谢你

团队成员、您好！  

我的问题仍未解决。 请更改状态。  

是否存在任何已解决和未解决的自动提升标志。 我没有告诉它的解决。 论坛如何关闭、请将其打开。  

谢谢你。

Evan、您好！

感谢您引导我们走上正确的道路。

我们尝试了启动学习周期。 但我相信它是失败的。

首先是启动器件复位

然后提供 EOS_START_LEARN

然后、无论您告诉我们要做什么。

EOS_RCELL_RRATE_LEARN。 然后、我们设置了 Design Capacity 值。

然后、我们通过发出 EOS_ABORT_LEARN 命令来停止学习。

我们曾尝试读取满电荷容量、但它仍显示标准值。 2200 mA。

请您引导我们从开始到结束的步骤  

我不熟悉这个电量监测计、我们没有 EVK、因此我们可以使用 BQStudio 进行测试。

但我们有自定义设置、在该设置中我们可以使用 MCU 中的 I2C 命令来控制和配置电量监测计。

我仍然不了解  警报配置寄存器。 我们必须写入这些寄存器、或者需要从这些寄存器中读取。  

对于学习周期、我没有什么知识。 我甚至不知道需要写入哪些寄存器以及读取哪些寄存器的状态。

请帮我解决这些问题。

我们的目标是设置 Design Capacity 值、启动学习周期以及使用学习的数据读取剩余容量。  

关于 EOS 学习、我没有什么知识。

请让我知道我需要写入的寄存器。 以便我可以存档预期的结果。 我们的主要目的是使使用 EOS_LEARNING 读取满电荷容量成为可能。 请引导我们。

谢谢你。

Evan、您好！

完成一些实践后、我能够通过提供 EOS_LEARNING_START 来启动 EOS 学习。 我读取了 EOSLearnStatus、并且 LCMD 标志被设为高电平。

更新 Design Capacity 后、我想检查学习阶段是否已成功完成。

再次,我尝试阅读 EOSLearnStatus。 但现在、LFAULT 和 LUCD 标志已发出。 我只是想了解为什么这些旗帜会出现。

我知道由于 LUCD 标志、学习阶段中止。 但我不知道是什么导致 LUCD 标志改变其状态。  

请告诉我可能会出现什么问题。 其他部分。

谢谢你

您好！

当学习阶段超出放电或充电阈值电流时、会设置 LUCD 标志。  

此致、

Evan

Evan、您好！

我理解这个概念、但是我们如何设置放电和充电阈值电流。

无论我们遵循何种说法、我都想澄清一下是否正确。

首先、我将重置电量监测计

我将启用 EOS_EN

我将启动 EOS_LEARN_START

我将阅读 EOSLearnStatus()

这里我可以读取已发出的 LCMD 标志

我将启动 EOSRCELLRRATELEARN ()

我将使用 conf 更新来将 Design Capacity 更新为10000mA

我将读取 DevID

我将检查 Voltage()

我会将 BLTDischargeSet()设置为8000mA

我将读取剩余容量()

我将读取 fullChargeCapacity ()

然后我会读 EOSLearnStatus()

在这里、我可以看到发出了 LFAULT 和 LUCD 标志。

请让我知道我在上述模式中犯了什么错误。

谢谢你

Evan、您好！

感谢您的答复。

我仍然无法理解需要遵循的模式。  

您分享的文档给了我大量的知识。 感谢您发送编修。

但我在文档使用.fs 文件时遇到了一个问题、该文件只能从 BQSTudio 生成。

我现在已经了解、我们需要在开始学习阶段之前设置 chg/dschg 阈值和设计能力。

但我无法理解需要写入哪个寄存器来更改 CHG/DSG 阈值。

请帮我理解模式。 我需要写入以下哪个寄存器？

谢谢你

Evan、您好！

感谢您让我知道要写入的寄存器值。  

我现在有一个新问题。

可以使用 CONFIG 模式更改放电检测阈值和充电检测阈值、对吧？

当我尝试读取旧校验和时、它每次都会返回不同的值、因此我无法更改充电和放电检测阈值。  

当我尝试读取旧的 MSB 和旧的 LSB 值时、有时会返回技术文档中给出的默认值。 但有时它会返回0、我认为这是错误的。  

请告诉我校验和值为什么会发生变化。 请告诉我为什么有时不返回默认值。  

谢谢你。

您好！

是的、您需要处于配置更新模式。

我不确定您在做什么错了、您能否分享您的.srec 以及要为阈值写入的值。

此致、

Evan

Evan、您好！

很抱歉、我们没有 EV2300。 因此、我们无法使用 BQStudio 生成.srec 文件。 我可以与您共享所需的值、实际上是我们要为配置设置的值。  

我们有一个容量为10000mA 的电池

充电和放电  

充电阈值为2000mA 4.0

要设置的电压为3.7V

我将与大家分享配置放电电流阈值所遵循的步骤

WR  0x00 0x14

WR  0x01 0x04

WR  0x00 0x72

WR  0x01 0x36   //解封  

WR  0x00 0x90

WR  0x01 0x00   //进入 CONFIG UPDATE 模式

RD  0x3B        //直到第4位被设置

WR  0x3E 0x84

WR  0x3F 0x92

Rd  0x60        //读取旧的校验和

Rd  0x61        //读取旧的校验和长度

WR  0x3E 0x84

WR  0x3F 0x92

Rd  0x40        //读取旧 MSB

Rd  0x41        //读取旧的 LSB

WR  0x40 0x07  //写入新的 MSB

WR  0x41 0xD0  //写入新的 LSB

WR  0x60 0x25  //写入新校验和

WR  0x61 0x06  //正在写入新的校验和长度

WR  0x00 0x91  

WR  0x01 0x00  //退出 CONFIG UPDATE 模式

RD  0x3B        //直到位4清零

WR  0x00 0x30

WR  0x01 0x00  //密封  

这些是我们用于更改放电电流阈值的模式。

但如果我再次读取它、我们将观察到相同的默认值设置、即60。

请让我知道我们在犯什么错误。

谢谢你

Evan、您好！

我们使用 TM4C123 MCU 的 I2C 命令来配置 bq34210-Q1、而不是使用 BQStudio。 要生成.srec、我们需要 EV2300。 我们没有 EV2300。 我们必须使用 I2C 进行手动配置。

谢谢你

Evan、您好！

这是我们的电池规格

谢谢你

您好！

您好、请允许我某个时间返回办公室、当我返回实验室时、我可以对此提供帮助。

快速问题：您是否能够向器件写入任何值？

此致、

Evan

Evan、您好！

是的、我们只能向器件写入设计容量值。 我们还研究了将出现什么是默认校验和值、并根据该值进行了计算、因此、无论旧校验和是什么、都将根据我们每次复位时进行的正确计算进行写入、如果它给出了错误的旧校验和、它也将写入。  

问题所在  

1.旧校验和每次都不一致。

2.我们无法写入放电电流的阈值和充电电流的阈值等其他数值。

3.我们无法完成 EOS 学习周期。

需要您的帮助。

谢谢你

您好！

校验和计算是否正确？

此致、

Evan

Evan、您好！

实际上、我们已经弄清楚了如何将充电检测阈值和放电检测阈值以及设计容量的值写入器件。

您能告诉我们吗？ 我们接下来要做什么？

就像我尝试过这些东西一样

EOS_EN()

EOSStartLearning()

EOSLearnStatus()

EOSRCELLRRATELEARN ()

但我不知道这是正确还是错误的步骤开始学习过程.

另外、请告诉我我们何时会注意到启用了 LDONE 位。

请在开始 EOSLearnStart 阶段之前告诉我,我们必须写其他东西吗?

谢谢你。

您好！

下面链接的 TRM 中的第1.3章介绍了学习周期。 如果您有任何问题、敬请告知。

《bq34210-Q1技术参考手册》(TI.com)

此致、

Evan

Evan、您好！

现在、我们能够启动 EOS 学习阶段。 并且我们禁用了 ACCUM_CHG_EN。 所以在 EOSLearnStatus 中、我们可以启动 DISCHARGE-TO-CHARGE 已启用。

并且我们能够设置 LTEST。

请告诉我们、在完成学习阶段之前、我们必须做些什么。

谢谢你

您好！

完成学习阶段有2种方法、即放电前充电或放电前充电、这两种方法都记录在 TRM 的第1.3章中。

请确定您要使用哪种方法以及您有什么问题。

此致、

Evan

Evan、您好！

我们已成功配置2000mA 的放电检测阈值和充电检测阈值

我们已为10000mA 配置了 Design Capacity 值

我们已将 EOS 配置设置为 LTest - 1、LVR - 0、LSM - 1

因此在充电阶段前放电

然后、我们在电量监测配置中将 FCC-LIMIT 写入1、所有位均为0  

我们已经接近饱和到9900mA

和 Quit Current 至1000mA

现在、通过提供 EOS_EN、我们成功地启动了学习阶段

我们已启动 EOS_START_LEARN ()

但是,当你读 EOSLearnStatus()

当我读取 operationStatus()时、有时 VDQ 标志未启用

学习已开始、并且正在进入 LRLX 阶段(弛豫阶段)

因此,我们可以观察到 LRLX 标记已被提升 EOSLearnStatus ()

但我无法在 Gauging Status ()//中观察到[REST]标志、因此未成功进入 RELAXATION 模式

因此我们无法进入放电模式。

我们在 EOSLearnStatus ()中持续跟踪 LDSG 标志。  

但等待10分钟后、它也没有进入学习放电阶段

需要您的帮助。

谢谢你

您好、Diago、

我不知道该怎么办才好,可是我却发现她竟然还在不停的抽插着。

它仍保持在 LRLX 模式下、不转至 LDSG。

请让我知道我们所缺少的是什么。

我还设置了停止电流和过载电流。

但我没能理解为什么不会进入放电阶段。

请告诉我、这是什么缺失点。

谢谢你

您好！

LRLX 是但不是可配置位、它由电量监测计设置。

监测计是否处于自动 EOS 确定模式？

此致、

Diego

您好、Diego：

我们知道无法配置 LRLX 标志。 它将由电量监测计设置。 我的问题是、我们现在处于弛豫阶段、并未进入放电阶段。  

由于我们可以在 EOS 学习状态寄存器中观察到 LRLX 标志、因此它正在进入弛豫阶段

但它不会退出弛豫阶段、并且电池未完全弛豫。

如果宽松、[REST]标志会升高

需要帮助

谢谢你

您好、Diego：

请告诉我,我可以启用自动 EOS 确定模式吗?

谢谢你。

尊敬的 Diego：

我今天尝试了自动 EOS 测定。

我已经通过提供 EOS_EN 来启用确定

我已将 LTEST 标志和 LSM 标志设置为1

我已经给出了 EOS RCELL RRATE 学习命令

 已尝试读取 EOLearnStatus()

它将仅启用 LPER、LRLX 标志。  

我等待了5分钟、所以我认为它会进入放电模式(LDSG)。

但没有发生任何情况。

请帮助您理解这些命令。

我还在跟踪 Auto_Learn_Time 计数器以进行检查。 但事实并非如此。 它停留在220小时

谢谢你

尊敬的 Diego：

我已经开始了自动学习阶段。

并且我还启用了 LTEST 标志。

但您要说的是、一旦您开始放电、 我没有得到真正的含义。

如何启动放电模式。

为什么学习停留在 LRLX 弛豫阶段?

请回复

谢谢你

尊敬的 Diego：

我已启用 LTEST 标志。

那么自动学习时间将被设置为10分钟对吧？

那么、让我知道一些要点

如果您正在设置 LTEST 标志、是否仍需要将自动学习时间优化到内存中？

如果是、我可以看到单位以小时为单位。 但是、我需要为自动学习时间留出多少最短时间？

进入 LRLX 后、设备需要多长时间才能进入 DISCHARGE 模式？

谢谢你

您好、Diego：

我已经检查了它。 进入放电模式需要超过10分钟、这并不是恒定的。 之后我又等了10分钟让它完成学习。 但事实并非如此。 我观察到的自动学习时间始终显示为1。 在使能 LTEST 之后、也没有减小计时器。

自动学习时间将会减少还是恒定。 因为读数单元显示"小时"。

完成学习阶段还需要多少时间？

谢谢你

您好、Diego：

我开始学习阶段、然后转移到 LRLX、再转移到 LDSG

一段时间后、我可以看到 LDONE  

但我现在有一个新的问题。

通过 LDONE、我可以看到其他一些标志正在出现

LPER、LCMD、LABRT、LCTO、LUCD、LCTEDGE、LRSTOR

上述标志正由 LDONE 提出。

学习完成后、FCC 没有看到任何变化。

它仍然显示256

RC 甚至也是恒定的1760

我已设置 LTEST、因此自动学习时间和所有其他计时器都已减少。

这是否导致了问题？

我已经在该响应中添加了电池规格

好的、我需要设置什么值才能使器件正常工作

如放电电流阈值

充电电流阈值

学习放电电流等

如果可能、请帮助提供这些值

谢谢你迭戈

Vinay、您好！

迭戈目前不在镇上。 他应该能够在本周晚些时候与您联系。

此致、

Nick

您好！

似乎你已打开一个新主题、我将回复该新主题并锁定这个主题、以避免混淆。

此致、

Diego