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[参考译文] UCC24612:高侧应用中的电路设计问题

Guru**** 2382480 points
Other Parts Discussed in Thread: UCC24612
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1402776/ucc24612-circuit-design-question-in-high-side-application

器件型号:UCC24612

工具与软件:

大家好、团队成员:

该器件能否在右高侧工作? 此处有2个问题、谢谢:

  1. 启动时、功率 FET 似乎不工作、二极管可以直接导通?
  2. 该器件如何使 VG 获得大于功率 FET Vgsth 的电压?

BRS、

Francis

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    您好!

    您的查询正在审核中、我会尽快回复您。

    此致、

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    您好!

    这在高侧应用中有效。  在反激式拓扑中、当您首次开启初级 FET 时、UCC24612上的 VDD 电容器将充电。

    次级绕组的电压将为-Vin*NS/NP。  这将允许 VCC 充电至 VIN*NS/NP。  请注意、该电压始终不会超过 VDDmax。

    以下链接会带您转至 UCC24612评估模块的用户指南。  您可以订购此评估模块来评估高侧和低侧应用。  可能有必要订购此评估模块并在高侧应用中的反激式转换器中对其进行评估。

    https://www.ti.com/lit/pdf/sluubp3

    此致、