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[参考译文] BQ25672：应用 FET 缓冲器

admin
Guru**** 2539500 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1403944/bq25672-apply-fet-snubber

器件型号：BQ25672

工具与软件：

你好

漏极-源极电压在 IC 内置的 FET (Q1)中很高、因此我想施加缓冲电容器。

IC 的运行是否有问题？

*在 SW1  PMID 引脚上施加缓冲器电容。

谢谢你。

  • 0
    TI__Guru**** 2539500 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    尊敬的 Jaeho：

     

    不建议在 FET 的漏极和源极之间放置一个缓冲电容器。 如果您担心 SW1上的电压尖峰、请遵循数据表中的建议、确保 PMID 至 GND 的足够大的电容器靠近 IC、并且 PMID 和 GND 之间有足够的总有效电容。

     

    此致、

    Jared Baxter