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[参考译文] BQ25638:BQ25638布局指南。

Guru**** 2387060 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1405542/bq25638-layout-guidelines-of-bq25638

器件型号:BQ25638

工具与软件:

大家好、团队成员:

您能否提供 BQ25638YBGR 的详细布局指南。

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好!

    布局指南

    为了更大限度地减少开关损耗、应尽可能缩短开关节点的上升和下降时间。 为了防止电场和磁场辐射以及高频谐振问题、采用合适的元件布局来尽可能简化高频电流路径环路非常重要。 请仔细按照以下特定顺序来实现正确的布局。

    1.将输入电容器尽可能靠近 PMID 引脚和 GND 引脚连接放置、并使用尽可能短的覆铜线迹连接或 GND 层。

    2.将电感器输入引脚尽可能靠近 SW 引脚放置。 最大限度地减小此迹线的覆铜面积、以减少电场和磁场辐射、但应确保该迹线足够宽、能够承载充电电流。 不要为此连接并联使用多个层。 最大限度地减小从该区域到任何其他引线或层的寄生电容。

    3.将输出电容器放置在靠近电感器和器件的位置。 需要通过短铜引线连接或 GND 平面将接地连接连接至 IC 接地端。

    4.将去耦电容器放置在 IC 引脚旁边、并尽可能缩短布线连接。

    5.确保过孔的数量和尺寸允许给定电流路径有足够的铜。

    布局示例

    请参阅 https://www.ti.com/lit/ug/sluucr0a/sluucr0a.pdf 上的 BQ25638 EVM UG 

    谢谢!

    宁。