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工具与软件:
尊敬的 TI 专家:
我有关于 LMG3522R030Q1 GaN 开关的一些问题:
在为更高电流的应用并联两个 LMG3522R030Q1器件时、我们应该在电源、隔离器部分或其他元件中考虑哪些注意事项? 这里是否有任何应用手册? 具体来说、如果我计划使用具有1.5W、12V 输入和12V 输出的 UCC14130Q1、我应该使用其中两个电源模块来并联两个 LMG3522R030Q1器件、或者一个模块是否足够? 我还应考虑哪些其他要点?
LMG3522 GaN 器件的总栅极电荷(Qg)是多少? 我注意到数据表中未提供该参数。
在这一代 LMG3522R030Q1 GaN 器件中、如果我们没有自适应死区时间控制、而是为最坏情况设置死区时间、那么该器件是否提供理想的二极管模式来改善第三象限损耗? 数据表提到、理想二极管模式仅在过热关断期间激活。 如果没有过热问题、器件是否仍能在理想二极管模式下运行?
感谢您的帮助。
此致、
Mahmoodreza
尊敬的 Mahmoodreza:
1.此设计的开关频率是多少? 与任何栅极驱动器一样、我们器件 VDD 引脚上的电流消耗(主要取决于栅极驱动器的电流消耗)取决于开关频率。 请参阅 数据表中的图5-9和5-10、 估算每个 LMG3522器件在目标开关频率下的总功耗。
2.由于栅极 驱动器和 GaN FET 集成在同一封装内、因此未在数据表中发布 Qg。 要 估算栅极驱动器产生的功率损耗估算、最好参阅图5-9和5-10。 该电流 消耗包括为栅极电容充电的电流 以及内部 OCP/UVLO/BB 模块的电流。
3.在过热关断条件之外、此器件不能提供理想二极管模式控制。 应优化应用的死区时间、以尽量缩短 第三象限操作的导通时间。
此致、
John
尊敬的 John:
感谢您的详细答复。 我还有一些关于 LMG3522R030Q1 GaN 开关并联的问题:
1 -如果我的开关频率为500kHz、一个 UCC14130Q1电源模块是否足以用于并联两个 LMG3522R030Q1器件?
2-对于隔离器部分、我是否应该为每个并联 GaN 开关使用两个单独的隔离器(例如两个 ISO7741)、或者一个隔离器是否足以满足这两个要求?
3 -并联两个 LMG3522R030Q1器件时、我应该将开关的每个引脚直接连接在一起、还是应该使用一些电阻器? 您能否就如何在并联期间处理两个 GaN FET 的引脚提供具体指导?
4-对于 TI 的并联 GaN 开关、是否有任何您可以推荐的应用手册?
5-是否有 TI GaN FET 器件能够在过热关断条件之外提供理想二极管模式? 如果存在这样的器件、我会考虑切换到它。
6-关于可提供12V 和5V 输出的 UCC14130电源模块:对于隔离器电源(5V)、有两个选项。 我可以使用 UCC14130模块的5V 输出、也可以使用 GaN LDO 5V。 TI 建议使用哪种选项?
感谢您的持续帮助。
此致、
Mahmoodreza
尊敬的 Mahmoodreza:
1.假设每个 GaN 器件在500KHz 频率下的电流消耗为~μ A 70mA、总功耗为2 * 70mA * 12V = 1.68W、超出了 UCC14130Q1的额定功率。 在这种情况下、必须使用其中的两个器件。
2.建议每个高侧器件使用自己的数字隔离器。
3.对于硬开关应用、 建议在基于硬开关的拓扑的 SW 节点上放置一个去耦电感、以提高动态状态性能。 该电感器的建议值为1uH。
4.我们可以发送一封到您的电子邮件。
5.我们的 GaN 产品系列目前没有任何器件在过热关断条件之外以理想二极管模式运行。
6.我们建议使用 GaN 器件上 LDO5V 引脚的5V 输出。
此致、
John
尊敬的 John:
非常感谢您提供详细和有用的答案。 我非常感谢您提供的指导。
如果您能与我的电子邮件同时发送有关 GaN 的相关文档、我也将不胜感激。
此致、
Mahmoodreza