[参考译文] LMG3522R030-Q1：有关 LMG3522R030Q1 GaN 开关的问题

尊敬的 Mahmoodreza：  

1.此设计的开关频率是多少？  与任何栅极驱动器一样、我们器件 VDD 引脚上的电流消耗(主要取决于栅极驱动器的电流消耗)取决于开关频率。 请参阅 数据表中的图5-9和5-10、 估算每个 LMG3522器件在目标开关频率下的总功耗。  

2.由于栅极 驱动器和 GaN FET 集成在同一封装内、因此未在数据表中发布 Qg。 要 估算栅极驱动器产生的功率损耗估算、最好参阅图5-9和5-10。 该电流 消耗包括为栅极电容充电的电流 以及内部 OCP/UVLO/BB 模块的电流。

3.在过热关断条件之外、此器件不能提供理想二极管模式控制。 应优化应用的死区时间、以尽量缩短 第三象限操作的导通时间。  

此致、

John

尊敬的 John：
感谢您的详细答复。 我还有一些关于 LMG3522R030Q1 GaN 开关并联的问题：

1 -如果我的开关频率为500kHz、一个 UCC14130Q1电源模块是否足以用于并联两个 LMG3522R030Q1器件？

2-对于隔离器部分、我是否应该为每个并联 GaN 开关使用两个单独的隔离器(例如两个 ISO7741)、或者一个隔离器是否足以满足这两个要求？

3 -并联两个 LMG3522R030Q1器件时、我应该将开关的每个引脚直接连接在一起、还是应该使用一些电阻器？ 您能否就如何在并联期间处理两个 GaN FET 的引脚提供具体指导？

4-对于 TI 的并联 GaN 开关、是否有任何您可以推荐的应用手册？

5-是否有 TI GaN FET 器件能够在过热关断条件之外提供理想二极管模式？ 如果存在这样的器件、我会考虑切换到它。

6-关于可提供12V 和5V 输出的 UCC14130电源模块：对于隔离器电源(5V)、有两个选项。 我可以使用 UCC14130模块的5V 输出、也可以使用 GaN LDO 5V。 TI 建议使用哪种选项？

感谢您的持续帮助。

此致、
Mahmoodreza

尊敬的 John：

非常感谢您提供详细和有用的答案。 我非常感谢您提供的指导。

如果您能与我的电子邮件同时发送有关 GaN 的相关文档、我也将不胜感激。

此致、

Mahmoodreza