工具与软件：
你好！
我们在使用 LM74810电源路径控制器的方式时遇到了问题。 请参阅随附的原理图。
VAUX 和 VBAT 是2路电源/电池输入、典型值为24V。 V_MOTOR 连接到电机驱动器 IC。 控制逻辑由 VAUX 供电。
我们使用 LM74910为电机选择电源、我们的选择不依赖于哪个电源电压较高。 我们选择 VAUX_EN 和 VBAT_EN (由3V3处理器驱动)。 在我们的应用中、VAUX_EN 和 VBAT_EN 绝不会同时开启。 逻辑信号 VAUX_EN 和 VBAT_EN 之间的切换时间~20us。
我们的经验是、即使系统中没有高电流(电机始终关闭)、Q2或 Q7也会发生短路故障。 我们测量 MOSFET 体二极管压降、然后在 VAUX 和 VBAT 之间多次切换、在一段时间后 Q2或 Q7会测量体二极管的0V/短路。
您是否对我们的错误行为有任何见解？
此致
Maurius、您好！
1.是的,您的解释是正确的。 它可以在更少的电流下工作。
2.我不建议 CdvdT 上的电容大于0.1uF
3. FET SOA 裕度和启动时间是唯一的考虑因素
4. 100欧姆电阻器限制进入 CdvdT 的电流。 电容器的放电也取决于该电阻器。 100欧姆值不错。
5. 在步骤3中、您需要输入启动的详细信息。 如所示、在 VOUT 处、您将开始绘制加载。 负载(电阻或恒定电流)的曲线是什么。 这是了解您的设计是否通过启动的重要一步。 建议 SOA 裕度大于1.3。
此致、
Shiven Dhir
尊敬的 Shiven：
我已经使用备用 MOSFET 运行了一些测试(请参阅我发布的6月17日上午7：51将原始 MOSFET SOA 与备用 MOSFET SOA 进行比较)。
我的测试设置会将负载开关打开半秒、然后关闭15秒。 当负载开关关闭时、一个附加的负载电阻器(仅是测试设置的一部分)会使负载电容器放电。 我还添加了一个与负载电容并联的额外1200uF 电容器、以确保为成功解决方案留出一些余量( 下图中 CBULK+= 1200uF)。 红色曲线 A 表示 MOSFET 两端的电压、蓝色曲线 B 表示电源路径中20m Ω 电流检测电阻两端的电压。
Cdvdt=20nF 情况下一开始没有问题、直到我从 Vin=30V 变为 Vin=32V
与此相关的2个问题：
对于如何解决此问题、您还有其他见解吗？
2个小外设点：
此致、
Marius
尊敬的 Marius：
本地放电网络是这样的。 尽管仅用于评估、但您也可以将 Cdv/dt 保持为0.1uF。 重复开/关是控制器的问题。 您也可以在没有此网络的情况下测试启动。
此致、
Shiven Dhir
尊敬的 Shiven：
1) 1)请查看我随附的计算电子表格。
我已经使用了 SLVA673A、并按照第3.2节中48V、20A PMBus 热插拔设计的计算进行操作。
对于电子表格中的示例计算、我获得的值与 SLVA673A 相同(这只是在电子表格中检查我的 EQN)。
然后、我为我的应用执行相同的计算。 我的解释是、如果绿色单元中的结果小于浅橙色单元(25度)和深橙色单元(85度环境温度)中的结果、则 FET 应处于 SOA 范围内。
这种解释是否正确？
e2e.ti.com/.../lm7481_5F00_mosfet_5F00_soa.xlsx
尽管我的实验均使用25度 MOSFET、无负载(电路的容性负载除外)、关断和导通之间有15秒的时间、但这些实验仍然会中断、尽管浪涌电流明显低于 SOA 电流。
我遗漏了哪些注意事项？
2)从该电路迁移时
与使用外部放电的降压转换器相比、
当 C1变大时、放电电路中的 R1 (不在应用手册中)将为 Q1提供一些保护。
您之前已经说过："100欧姆电阻器会限制进入 CdvdT 的电流。 电容器的放电也取决于该电阻器。 100欧姆是一个很好的价值。"
此致、
Marius
尊敬的 Shiven：
只是另一个想法。 您提到、R1与 Cdvdt 串联的100R 是一个不错的值。 100R 从何而来？
我唯一看到的是来自 HGATE 参数、其中灌电流为~200mA (没有提供最大值)。 使用 Vsupply=12V -> V_HGATE~23V 的典型值、我们可以得到230mA。 我假设 HGATE 通过 LM7481放电至 GND。
您还提到过、需要添加本地放电网络、因为 C1越大、放电到控制器中的能量就越高。
如果为 R1使用较高的电阻值、以便将流入控制器的放电电流限制在 C1值较大时可接受的值、应该怎么办？
如果可行、设计公式是什么？
此致、
Marius
