[参考译文] CSD23280F3：高于25°C 的漏源漏电流

Fred、

首先、感谢您考虑我们的器件、我们不胜感激。

我不建议使用不同的 PCH FET、这是成本最低的器件能够提供的最小尺寸。 作为一个侧面,这个器件作为一个相当独特的 ESD 保护二极管,它是单端的,具有非常好的泄漏性能,不像大多数背对背 ESD 二极管。 在下面的链接中、第4节中有一篇文章介绍了"MOSFET 包含哪种类型的 ESD 保护"、您可能会发现这是一个非常有趣的内容

至于估算器件在数据表未提供的不同条件下的变化、我们就此撰写了几篇文章、您可能会觉得有用。

包含此应用手册： https://www.ti.com/lit/an/slvafg3f/slvafg3f.pdf

其中在一个文档中列出了所有 MOSFET 技术内容、供您参考。 在第4节中、有2篇文章被称为"MOSFET 数据表中不包含的内容..." "一个研究电压变化、另一个研究温度变化。

对于温度变化：上面的文章介绍了 MOSFET 如何随温度变化、可以将归一化曲线应用到该器件来提供和说明。 我们不能保证、但提供了一个良好的指示、由此、您将看到 IDSS 的增加大约10倍、IGSS 保持在平坦@ 60摄氏度左右。 使用图4和图5

至于电压、这实际上使用了具有单端 ESD 二极管的20V PCH 器件、这与您正在查看的器件非常相似。 请参阅图3和图6、我不确定您使用的 Vds、但 Vgs 为3V 会显示 IGSS 从图3b 中减少~10倍。 如果您使用的 VDS 大约为5V、则 Ids 也会降低大约10倍。

我希望这些信息对您有所帮助、如果您需要任何其他信息、请告诉我们。

非常感谢

Chris

Fred、

让我在这里纠正一下、我看到您在使用12V FET、因此电压泄露的减少将不如我在上面所说的那么多。 对此深表歉意。

我估计在 Vgs 为3V 时、IGSS 减少~5倍而不是10倍、Vds 减少~7倍。

Chris

Fred、

第二个回复为您提供了12V CSD23280F3的估算值、比您选择的电压更接近 Vgs max 和 Vds max 更少、您可以在应用中使用 CSD25480F3、泄漏是最大的问题、您将获得我提到的10倍改进。

CSD25480F3的价格与 CSD23280F3相同,可以轻松满足您的电流要求并降低漏电流,因此这可能是您的选择,因为我认为这是您对最低漏电流的需求。

谢谢

Chris