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器件型号：BQ25756E 工具与软件：
尊敬的 TI 团队：
目前我正在测试芯片 BQ25756E、有一些问题需要咨询、如下所示：
1.配置寄存器后、再次将其上电和掉电。 能否保存寄存器值？
2、TS 引脚,电池温度测量 NTC B 值知道是否有要求(3435/3950 );
3、芯片上电,不要配置寄存器,死区时间的默认设置是什么;
4、29.4V 输入、2.5A 电流充电、开关频率设置600kHz、MOS 管温度98℃、测量降压测试管、发现存在同时开关的现象、请告诉我如何优化；
5、6节串联电池、电压充电到25V 后会出现类似的断续现象、SW 开关波形波动、输出电流此时会发生大幅变化(电流波动超过0.5A)、请告诉我这种现象是否正常、异常情况下如何优化；
6.未使用 IIC 通信时、输入欠压保护由硬件单独设置。 计算得出的欠压保护值与测量值之间存在2V 偏差(RAC1=1000K、RAC2=6.2K、RAC3=38.3K、范围25.82-33.48V)、当测量值低于28.3V 时、保护功能将关闭
7、在测试充电曲线的过程中,恒压充电过程中,会有电流上升过程,电流曲线不平稳,原因是什么?
8、测试充电电流曲线,发现恒压相电荷至0.18A 直接结束充电,这是正常的吗?
