[参考译文] LM5122-Q1：低侧 FET 损坏

您好、已给定：

您能详细介绍一下他们的设计吗？
我需要的信息是：
-输入电压范围
-输出电压
-最大负载
-原理图
-电感器和 MOSFET 详细信息

谢谢、此致、
Niklas

尊敬的 Niklas：  

感谢您的答复。

 和你之前评论的一样。

电感器为 PM4344332NLT。 FET is buk9y6R0-60E。 '

输入电压范围为9-36V、Vbat。  

 e2e.ti.com/.../7446.sch.pdf

BRS

假设  

您好、已给定：

感谢您提供信息。
当我以前检查设计时、我曾对此提供过一些反馈。
(我现在没有上一主题、但我想我评论了10m Ω 的感应电阻、该电阻可能太小、并且电感可能稍高、以便全面改善。 薪酬对我来说也不理想)

是否未实施这些更改？
原理图还让我在这里感到困惑、因为它使用了两个 MOSFET 符号(Q302)、尽管看起来使用了两个单独的 Nexperia FET。

客户能否提供此设计的开关节点和输出电压的一些波形？
通过这种方法、我们可以查看设计是否运行不稳定。

此致、
Niklas

尊敬的 Niklas：  

感谢您的答复。  

a.为什么10m Ω 太小？  我没有看到 Rsense 的最低要求。 OCP 裕度相对于 Iout 过高。  

B. sch 已在一段时间内进行了 RTMed、并且已经测试了波特图。   

c. Q302是两个并联的 FET。  

客户询问您提到的波形。  

BRS

假设  

您好、已给定：

我们的工程师目前不在办公室。 请在星期五回复。 谢谢你。

此致

Yezi