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[参考译文] LM5122-Q1:低侧 FET 损坏

Guru**** 2524550 points
Other Parts Discussed in Thread: LM5122-Q1

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1410465/lm5122-q1-low-side-fet-damaged

器件型号:LM5122-Q1

工具与软件:

大家好、团队成员:  

在升压模式下、LM5122-Q1的低侧 FET 有损坏的情况。 栅极电阻为0欧姆。 请添加您对可能原因的评论。  

我已要求客户检查启动/瞬态期间的电压应力、应该可以。  

BRS

假设  

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    您好、已给定:

    您能详细介绍一下他们的设计吗?
    我需要的信息是:
    -输入电压范围
    -输出电压
    -最大负载
    -原理图
    -电感器和 MOSFET 详细信息

    谢谢、此致、
    Niklas

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    尊敬的 Niklas:  

    感谢您的答复。

     和你之前评论的一样。

    电感器为 PM4344332NLT。 FET is buk9y6R0-60E。 '

    输入电压范围为9-36V、Vbat。  

     e2e.ti.com/.../7446.sch.pdf

    BRS

    假设  

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    您好、已给定:

    感谢您提供信息。
    当我以前检查设计时、我曾对此提供过一些反馈。
    (我现在没有上一主题、但我想我评论了10m Ω 的感应电阻、该电阻可能太小、并且电感可能稍高、以便全面改善。 薪酬对我来说也不理想)

    是否未实施这些更改?
    原理图还让我在这里感到困惑、因为它使用了两个 MOSFET 符号(Q302)、尽管看起来使用了两个单独的 Nexperia FET。

    客户能否提供此设计的开关节点和输出电压的一些波形?
    通过这种方法、我们可以查看设计是否运行不稳定。

    此致、
    Niklas

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    尊敬的 Niklas:  

    感谢您的答复。  

    a.为什么10m Ω 太小?  我没有看到 Rsense 的最低要求。 OCP 裕度相对于 Iout 过高。  

    B. sch 已在一段时间内进行了 RTMed、并且已经测试了波特图。   

    c. Q302是两个并联的 FET。  

    客户询问您提到的波形。  

    BRS

    假设  

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    您好、已给定:

    我们的工程师目前不在办公室。 请在星期五回复。 谢谢你。

    此致

    Yezi

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    您好、已给定:

    请分享一些波形。 我在原理图中看不到任何问题。

    Q302的器件型号是多少?

    此致、

    Feng