工具与软件：
你好。 我遇到了一个问题、那就是当我在输出端连接被快速移除的负载、比如断开被充电的电池时、这个降压-升压转换器芯片就会损坏。 芯片所受的损害是 SW2引脚(21和25)变为接地短路(引脚24)、从而导致外部电感器过热、并且转换器停止工作。 我连接的负载不超过3A。 您建议如何防止这种情况发生？ 在我看来、这是由电感器上的负载突降电感尖峰引起的、该尖峰会超过内部低侧 FET 的 VDS、而且会不可逆地损坏它。
请使用以下链接查看我的设计： webench.ti.com/.../SDP.cgi
谢谢！
Alex Ortiz
您好、Alex、
感谢您的等待。 输入电压范围和最大输出电流是多少？
关于原理图：
1.建议在输入电压轨中添加两个10uF 陶瓷电容和一个0.1uF 0401电容。 将0.1uF 电容器靠近降压 FET 环路。
2.建议在降压桥臂中使用相同的 MOSFET、以防 不对称接通/关断而导致击穿。 将 R33和 R34更改为0。
3.建议在 SW1和 SW2中添加 RC 缓冲器。 2.2nF+2 Ω(1206)。
建议在 Vout 引脚中添加一个0402 0.1uF 电容器、并将其靠近 IC。
5.我不确定您在此是否正确使用 LM74700。 您能否提交有关此器件的新主题来寻求 LM74700专家的建议？ 此处似乎应使用负载开关而不是反向电池保护理想二极管控制器。
请提供 C25-C30的器件型号以进行环路计算。
有关您的布局、我不得不说它真的很差。 您是否有机会设计新版本？ 请参考我们的指南 here.e2e.ti.com/.../8512.TPS55288-Layout-Guideline-_2800_Rev-B_2900_.pdf
要点：
1.电源回路轨迹：Vin、Vout、SW2。 电流迹线太细。 当大电流通过时、这将导致巨大的寄生参数。
输入/输出环路。 放置小电容器、以尽量减少环路。 请参阅指南。
3.驱动环路。
4.两个降压 MOSFET。
5. Vin Vout GND 平面中的散热过孔。
无论如何、请参阅我们的指南并设计新版本。
此致、
Mulin
您好、Alex、
有关 RC 缓冲器、请参阅 EVM 板。 建议使用1206封装电阻器。
TPS552882可用作电池充电器、但它不是一个常见的应用。 您有 EVM 吗？ 我想您可以首先使用 TPS552882 EVM 来查看它是否适合您的应用。 如果它运行良好,那么您可以修改您的设计和布局。
TI 还具有充电器 IC、它具有更精确的 CC-CV 功能。 您还可以寻找合适的器件。
此致、
Mulin
