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[参考译文] BQ24095：BQ24095DGQR

admin
Guru**** 2553260 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1404187/bq24095-bq24095dgqr

器件型号：BQ24095

工具与软件：

您好、TI 支持：

  过去2年来、我们一直在各种应用中使用 BQ24095DGQR 充电 IC。  在所有应用中、该 IC 都能正常工作。 在充电条件下、其温度为30°C 至35°C  

但现在、在新设计中、充电期间 IC 温升为85'C 至95'C。 因此、我们不确定问题是什么。 您能帮助解决这个问题吗？  

请查看以下设计。 如果需要其他详细信息、请告诉我。 请查看此处并尽快回复。

注意

Keyur Parikh

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    TI__Guru**** 2553260 points
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    您好、Keyur、

    施加的输入电压和电池电压是多少？ 旧设计与新设计有何不同？

    此致、

    Mike Emanuel

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    TI__Guru**** 2553260 points
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    Michael、您好！

    输入电压为5.08V、电池电压为3.7V。 在新设计中仅更改了控制器和 PCB 尺寸及布局。  

    此致  

    Keyur

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    尊敬的 Keyur：

    如果编程设定的充电电流为1A 且输入和输出之间的差分电压为1.38V、则会导致1.38W 的功率损耗。 您能否尝试降低输入电压或降低充电电流？

    此致、

    Mike Emanuel

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    尊敬的 Mike：

    我们已经尝试降低 ISET 引脚上的电流限制电阻器、但对充电电流没有任何影响、直到 IC 发热。  

    随着电压降低、我们的充电器电压是固定的。 我们无法更改它。

    注意

    Keyur

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    您好、Keyur、

    您能否分享您尝试使用 ISET 获得的电阻值？ 这样应该会限制充电电流并防止过热。 如果布局发生重大变化、也可能影响散热。  

    此致、

    Wyatt Keller

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    您好、Wyatt、  

    我已经为250mA 电流安装了 ISET 电阻器2.2K。 但是、如前所述、对电流没有任何影响。 关于布局、如果需要、我将进行更改。 但我目前希望任何其他解决方案来解决该问题。 这意味着如果有任何建议、例如在底部浇注焊料。 我已经这样做了、但对击球没有任何影响。  请提供建议。

    此致

    Keyur

  • 0
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    尊敬的 Keyur：

    有人会在星期三之前回到你身边。 我们正在观察劳动节。  

    此致、

    Mike Emanuel

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    尊敬的 Keyur：

    为了进行调试、请将输入电压降低至更接近电池电压、以查看是否实现了编程的充电电流。

    此致、

    Mike Emanuel

  • 0
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    Mike、您好！

    我们通过更改串联肖特基 二极管实现了上述目的。 是的、对于该更改、点击是"降低"。  与此同时、我将根据数据表更改布局。 我将发送布局文件供您查看、请允许我在某个时间更新布局。  

    此致、

    Keyur Parikh

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    尊敬的 Keyur：

    如果正确降低输入电压实现了电流、则需要提供较低的输入电压。 线性充电器的作用类似于 LDO。 任何功率损失都会以热量的形式耗散。 例如,如果您有一个输入电压为5V 的4V/1A 电池,则1V*1A 会作为热量耗散。 然而、将输入电压降低至4.1V 仅会消耗0.1W 功率

    此致、

    Mike Emanuel

  • 0
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    您好、Michael：

    明白了您的观点。 但这种设计用于使用同一充电器的多个产品中。 因此、相同的设计应适用于所有产品。 希望你理解我的观点。 无论如何、请查看下面的布局文件、如果需要更改任何内容、请告诉我。

      

    此致

    Keyur Parikh

  • 0
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    尊敬的 Keyur：

    请发送光绘文件用于布局分析。 自上次设计以来发生了哪些变化？

    此致、

    Mike Emanuel

  • 0
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    Mike、您好！

    上一个文件、我们没有将散热垫连接到 GND 平面。 现在我们已将其与 GND 连接。 请找到随附的 gerber 进行审核并尽快回复我们。  

    e2e.ti.com/.../Gerber-file.rar 

    此致

    Keyur Parikh

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    尊敬的 Keyur：

    在我看来、底层从芯片左侧到芯片右侧的 GND 返回路径连接不太好。 具体来说、C3 C4 GND 未很好地连接到 IC GND。 它通过两个过孔到达板的顶部、然后通过一条狭窄的返回路径。  请确保电源 GND 已充分连接。

    此致、

    Mike Emanuel

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    Mike、您好！  

    感谢您提供建议。 我已根据可能情况进行了相应更改。  您能再评论一下吗?

    e2e.ti.com/.../AHN_5F00_EPIPETTE_5F00_MULTI_5F00_CH_5F00_REV4_5F00_GERBER_5F00_12092024.rar

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    您好！

    较好的做法是、但接地层中仍有一些通过 R11和 R12下的过孔进行窄连接。 请具有牢固的连接。

    此致、

    Mike Emanuel

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    Mike、您好！

    感谢您提供详细信息。 我会这么做、然后送去生产。

    此致

    Keyur

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    此致、

    Mike Emanuel