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器件型号：LM5032 工具与软件：
尊敬的专家：
我计划设计一个10kW 的直流/直流转换器。 我要使用的拓扑是两相交错式升压拓扑。 在 AN-1820 LM5032交错式升压转换器(修订版 A)(TI.com)文档中、第2页我看到使用了2个 IGBT 和2个二极管。 但在另一个文档(太阳能串式逆变器和能量存储系统的电源拓扑注意事项)中、第7页中、将两个二极管替换为2个 MOSFET。 谁能解释一下这种设计为什么要进行调整？ 使用2个二极管是否可以？ MOSFET 是否提供任何边沿？ 从根本上说、控制是否有区别？
此致、
Rajesh Bn。
