Thread 中讨论的其他器件: BQ25601D
工具与软件:
大家好、团队成员:
关于 BQ25890H 和 BQ25601D 的以下问题、我想再次与您核实:
- 对于 PG_STAT、VBUS_STAT 寄存器、要更改阈值电压[上升和下降]是多少? VBUS_MIN=3.9V 或 VBUS_UVLOZ=3.6V 或其他阈值?
- 如果 Vbus 电压从5V 降至3.7V、它是否会更改上述寄存器值?
谢谢。
Frank
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
工具与软件:
大家好、团队成员:
关于 BQ25890H 和 BQ25601D 的以下问题、我想再次与您核实:
谢谢。
Frank
您好、Frank、
在1个器件上、BQ25601D VBUS_STAT 更改为"无输入" 、PG_STAT 更改为"电源不正常"(VBUS 为4.14V、VBAT 为4.00V、充电禁用)。 BQ2601D VBUS_STAT 更改为适当的输入、PG_STAT 在 VBUS 为4.21V 且 VBAT 为4.00V 时更改为"电源正常"(充电禁用)。 请记住、这是一个单元、不一定是所有单元的特征。
Ning 将填充 BQ25890H。
此致、
Mike Emanuel
您好、Frank、
a:在 输入源类型检测后设置 PG_STAT 和 VBUS_STAT 位。 需要通过下面1、2和3中列出的所有要求。 有关详细信息、请参阅 d/s。
请参阅8.2.3器件通过输入源上电、当插入输入源时、输入源的上电序列如下所示:
1.为 REGN LDO 上电
2.电源质量不佳
3.基于 D+/D-的输入源类型检测、用于设置默认输入电流限制(IINLIM)寄存器和输入源类型
B.取决于 BAT 引脚电压。 如果在以下条件无效(即在高阻态模式下)时 REGN 关闭、则 VBUS_STAT 和 PG_STAT 位应为0。
VBUS 高于 VVBUS_UVLOZ
2.降压模式下 VBUS 高于 VBAT + VSLEEPZ
如果满足1和2、但器件卡在源鉴定不良中、则 VBUS_STAT 和 PG_STAT 位应为0。
BTW、此查询针对的是哪个客户? 您能将项目信息通过电子邮件发送给我们吗?
谢谢!
宁。
您好、Frank、
对于 BQ25601D、为了以另一种方式进行解释、需要通过到达睡眠比较器来导通 REGN、这是为输入上电的一项要求。 这基于电池电压、因此我无法为您提供 VBUS_STAT 将开启的特定电压、因为它取决于电池电压。 PG_STAT 位还取决于器件退出睡眠模式的情况、这取决于电池电压。 我们未具体指定这些位将在哪个电压下打开/关闭。
与 BQ25890H 类似、需要使用 REGN 上电、电源不良鉴定和输入源类型检测来启用这些位。
此致、
Mike Emanuel