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[参考译文] BQ25890H:有关 BQ25890H 电子规格的问题

Guru**** 2387080 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25890H, BQ25601D
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1412597/bq25890h-question-about-e-spec-of-bq25890h

器件型号:BQ25890H
Thread 中讨论的其他器件: BQ25601D

工具与软件:

大家好、团队成员:

关于 BQ25890H 和 BQ25601D 的以下问题、我想再次与您核实:

  • 对于 PG_STAT、VBUS_STAT 寄存器、要更改阈值电压[上升和下降]是多少? VBUS_MIN=3.9V 或 VBUS_UVLOZ=3.6V 或其他阈值?
  • 如果 Vbus 电压从5V 降至3.7V、它是否会更改上述寄存器值?

谢谢。

Frank

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    弗兰克、您好!

    明天我将从 BQ25601D 的角度探讨这个问题。

    此致、

    Mike Emanuel

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    您好、Frank、

    在1个器件上、BQ25601D VBUS_STAT 更改为"无输入" 、PG_STAT 更改为"电源不正常"(VBUS 为4.14V、VBAT 为4.00V、充电禁用)。 BQ2601D VBUS_STAT 更改为适当的输入、PG_STAT 在 VBUS 为4.21V 且 VBAT 为4.00V 时更改为"电源正常"(充电禁用)。 请记住、这是一个单元、不一定是所有单元的特征。

    Ning 将填充 BQ25890H。

    此致、

    Mike Emanuel

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    您好、Frank、

    a:在 输入源类型检测后设置 PG_STAT 和 VBUS_STAT 位。 需要通过下面1、2和3中列出的所有要求。 有关详细信息、请参阅 d/s。  

    请参阅8.2.3器件通过输入源上电、当插入输入源时、输入源的上电序列如下所示:

    1.为 REGN LDO 上电

    2.电源质量不佳

    3.基于 D+/D-的输入源类型检测、用于设置默认输入电流限制(IINLIM)寄存器和输入源类型

    B.取决于 BAT 引脚电压。 如果在以下条件无效(即在高阻态模式下)时 REGN 关闭、则 VBUS_STAT 和 PG_STAT 位应为0。

    VBUS 高于 VVBUS_UVLOZ

    2.降压模式下 VBUS 高于 VBAT + VSLEEPZ

    如果满足1和2、但器件卡在源鉴定不良中、则  VBUS_STAT 和 PG_STAT 位应为0。

    BTW、此查询针对的是哪个客户? 您能将项目信息通过电子邮件发送给我们吗?

    谢谢!

    宁。

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    嗨、Ning、

    感谢您的评论。

    据我所知、在 BQ25890H 满足上述条件之前、PG_STAT 和 VBUS_STAT 将发生更改、但是、如果 VBUS=3.9V、BQ25890H 是否可以满足所有条件? 如果没有、满足上述条件的最小电压是多少。  

    谢谢。

    Frank

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    尊敬的 Mike:

    我想您的回答不是很清楚、不确定对于 VBUS_STAT 的变化、我应该采用哪种电压基准? 任何最小电压值? 谢谢。

    BR.

    Frank

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    您好、Frank、

    对于 BQ25601D、为了以另一种方式进行解释、需要通过到达睡眠比较器来导通 REGN、这是为输入上电的一项要求。 这基于电池电压、因此我无法为您提供 VBUS_STAT 将开启的特定电压、因为它取决于电池电压。 PG_STAT 位还取决于器件退出睡眠模式的情况、这取决于电池电压。 我们未具体指定这些位将在哪个电压下打开/关闭。

    与 BQ25890H 类似、需要使用 REGN 上电、电源不良鉴定和输入源类型检测来启用这些位。

    此致、

    Mike Emanuel