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[参考译文] LM7480-Q1：12V 冗余电源电路：

admin
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Other Parts Discussed in Thread: LM7480-Q1

请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1416549/lm7480-q1-12v-redundant-power-circuit

器件型号：LM7480-Q1
Thread 中讨论的其他器件： LM74800-Q1

工具与软件：

你(们)好

根据、我们在设计中使用了 lm7480-Q1、因为我们使用 BUK7Y4R8-60E MOSFET 进行电源 ORing。 在 LM7480-Q1中、DGATE 和 HGATE 引脚将产生10-14V 电压、但在我们仿真时、我们会得到 HGATE、而我们将栅极设置为23V 电压、这将损坏我们的 MOSFET

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    TI__Guru**** 2539500 points
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    尊敬的 Sakhtiraam：

    在哪些情况下、FET 会发生故障？

    启动期间 MOSFET 是否会损坏？

    此致、

    Shiven Dhir

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    我们仍处于设计阶段；我们期待该问题提出的 FET 和 LM7480-Q1数据表。 我附上了数据表的链接。 无论它是否会在我们测试设备时造成损坏

    Snip of MOSFET 产品说明书

    LM7480-Q1数据表链接

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    TI__Guru**** 2539500 points
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    尊敬的 Sakhtiraam：

    LM74800-Q1可以驱动大约13V 的最大 VGS、所选 FET 的 VGS (max)额定值为+/-20V、因此不会损坏器件。

    此致、

    Shiven Dhir

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    尊敬的 Shiven、DER：
    VGS 的限制特性为20V、但 VGS 阈值为4.5V

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    尊敬的 Sakhtiraam：

    4.5V VGS 是 MOSFET 的导通阈值。 为了获得更好的性能、它可以上升得更高。

    据我所知、你的问题是否如下：

    LM74800-Q1是否会因 VGS 违例损坏所选的 FET？

    此致、

    Shiven Dhir