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https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1413953/lm5122-driving-gan-fet
工具与软件：
LM5122是否能够驱动 GaN FET？
我看到了一些相关主题、据说 LM5122无法驱动 GaN FET。
原因是什么？ 现在它们可以由0V 和5V 电压驱动、就像硅 FET 一样。
你好、Nuno Martins、
LM5122驱动器具有大约7.5V 的高电压。 因此栅极上的电压电平对于我知道的 GaN 来说太高了。
此致、 Brigitte
您好、Brigitte、
关于 VCC 稳压器、数据表中显示：
'当输入电压低于 VCC 设定点电平时、VCC 输出将跟踪 VIN、从而有较小的压降。'
其中还说明它可以由外部电源供电、因此我们可以将 VIN 和 VCC 连接到5V。
还有什么其他因素可能使其无法与 GaN 兼容？
此致、
努诺
你好、Nuno、
一般而言、这听起来很合理。 我们没有以这种方式测试、虽然我不期望有任何反对意见、但我不能保证它会起作用。
该器件未针对如此低的电源电压进行优化、因此一些参数可能看起来有所不同。
死区时间未针对 GaN 进行优化、可能会有点长、因此您可能需要在栅极上并联一个二极管以减少损耗。
谢谢你。 您能否推荐一款与 GaN 兼容的合适器件？
尊敬的 Nuno：
遗憾的是、我们的产品系列中还没有与 LM5122具有相同规格的 GaN 驱动器控制器。 (随着新产品的开发、未来可能会发生变化) 现在、您是否已有适合您的应用的规格？ Vin 电压范围、Vout 电压、最大负载条件？ 在此基础上、我们可能会在完整的 TI 产品系列中找到合适的器件。
此致、 Niklas
尊敬的 Niklas：
对于此应用、我们需要一个高效的升压转换器、用于最低输入电压8V、输出电压40V、功率300W。
您有什么建议？
感谢您的反馈。 我从我们团队内部获得了一些关于合适器件的其他反馈。 实际上、LM5122通常不适合 GaN 应用。 即使 BIAS 和 VCC 由外部5V 电压供电、LM5122的内部死区时间对于 GaN FET 也并不理想。
我找到了其他同样包含外部 GaN 驱动器 LMG2100或 LMG3100的解决方案、但这些解决方案也不适用于我们的控制器。
对于300W 应用、也可以通过使用 LM5123的常规非 GaN 应用实现高效率。 如果 GaN 驱动器对于应用至关重要、我们目前还没有任何合适的器件。
