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[参考译文] ISO5452-Q1：DESAT 引脚设计值

admin
Guru**** 2386620 points
Other Parts Discussed in Thread: ISO5452-Q1
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1418119/iso5452-q1-desat-pin-design-value

器件型号：ISO5452-Q1

工具与软件：

我们使用采用 SiC 技术的 CoolSiC MOSFET。 为了驱动小腿 MOSFET、我们使用器件型号为 ISO5452-Q1的栅极驱动器、该驱动器具有 DESAT 保护。 我们正在使用47uF、RLIM=5.1k Ω 和二极管设计 DESAT 保护。 这些值对于设计而言是否合适？ 如果我们使用此值、是否会出现任何 DESAT 触发问题？

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    TI__Guru**** 2386620 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好 Niya：  

    消隐电容器是47uF 还是47pF？ 47pF 是一个合理的值(如您的图像所示)、47uF 消隐电容器需要太长的时间才能充电才能有效保护 SiC。  

    在路径中使用5.1k Ω 电阻器和 HV 二极管的情况下、VDS 检测阈值将为：  

    9V-5.1k Ω*500uA-Vdiode = 6.45V-Vdiode

    因此、只要二极管压降电压在合理的值(0.7V-2.5V)内、我就会认为 VDS 保护阈值是合理的。 当然、这对您的系统来说是有效的。  

    谢谢！

    Vivian

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    TI__Guru**** 2386620 points
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    你好,薇安,谢谢你的答案。 我还想知道以下问题的答案

    1)如果使用1pF 而不是47pF、电路是否可以 在不必要地触发 DESAT 的情况下仍然工作？

    2)如果使用11KOhm 和1pF、电路是否能正常工作？

    我们正在使用的 MOSFET 是 AIMDQ75R027M1H 和二极管 US1MHE3。

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    TI__Guru**** 2386620 points
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    您好、Niya：  

    1. ISO5x5x 在 DESAT 上具有~330ns 抗尖峰脉冲、有助于应对误触发。 但是、1pF 电容器通常太低、我们通常看到客户使用数十 pF 范围的电容器。 您可以在此处放置一个47pF 电容器、并在必要时在测试中对其进行调整。  

    2. 9V-11kOhm*500uA-Viode = 3.5V-Vdiode、可以工作。 1pF 有点过低。 同样、您可以在初始原理图中规划11kOhm、如果在正常运行期间 DESAT 错误触发、则稍后将其更改。  

    Vivian