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器件型号：CSD15380F3 工具与软件：
我很高兴我们在其中一款采用 Femto-FET MOSFET 的中型产品中获得巨大成功。
我有一个新设计、即将推出的产品销量会更高、预计电路数量将超过100万个。
该设计具有3-4个类似的电路、全部由调节到1.2V 的纽扣电池供电。 超低电流消耗是一项关键要求。
这是一种非常关键的设计、需要极其可靠和稳健。
我们计划在设计中同时使用 N 沟道和 P 沟道 MOSFET。 关键参数包括 Vgs (th)和 Ids 以及 IGSS 漏电流。 运行环境为-40至100C。
我已使用您的 N 沟道 CSD15380在其中一个电路的整个温度范围内成功进行仿真。
在我们的温度范围内对 Vgs (th)以及漏电流 IDSS 和 IGSS 都进行建模时、仿真模型似乎非常有用。
我知道 Vgs (th)具有负温度。 进行量化。 大多数 MOSFET 数据表并未充分涵盖泄漏参数。
您能详细解释一下如何建模泄漏吗？ 它是基于测量数据、还是 TI 根据器件制造知识生成仿真模型？
该泄漏模型在考虑温度影响的情况下如何？
该模型的保守程度、即它是否有足够的裕度来应对制造工艺差异？
我不知道有什么方法可以在温度变化和工艺变化时进行仿真。 不过、我所做的就是模拟比我们的预期环境高30度、以确保裕度。
很想获取有关该方法的反馈。
