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[参考译文] LM7480-Q1：获取 HGATE 输出时出现问题

admin
Guru**** 2539500 points


请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1414457/lm7480-q1-issue-in-getting-hgate-output

器件型号：LM7480-Q1

工具与软件：

您好！

我们将使用 LM74801QDRRRQ1在输入电压为24VDC 时提供反向电池保护、并将其用于200V 负载突降保护。 24VDC 的输出馈送到六个不同的高侧驱动器。 这些驱动器的控制信号来自 MCU。 我们注意到它只能驱动5个驱动器。 只要我们尝试驱动第六个驱动器、24V 的输出就会变为低电平。 HGATE 变为低电平、因此当第六个驱动器也连接时、IC 无法提供24V 输出。 我们在 HGATE 和 DGATE 处使用 IAUC120N06S5N017 MOSFET。

噪声

1.连接第六个驱动器后、HGATE 变为低电平的原因可能是什么？

2.系统在稳定状态下按预期运行、即一旦开启、系统将保持开启状态。

3.在打开/关闭系统时、我们只会遇到此问题。 这种行为的原因可能是什么？

此致

Avinav

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    尊敬的 Avinav：

    欢迎来到 E2E！

    您有要共享的波形吗？

    请测量 VIN、VCAP、HGATE、VOUT

    此致、

    Shiven Dhir

  • 0
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    以上波形是在只有5个驱动器运行时捕获的(即使我们正在尝试驱动全部6个驱动器)。

    上述波形已在所有驱动器打开时捕获。 在这种情况下、VOUT 变为低电平。

  • 0
    TI__Guru**** 2539500 points
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    尊敬的 Avinav：

    感谢波形。 我希望电荷泵可以根据数据表中规定的条件进行调节。

    此致、

    Shiven Dhir

  • 0
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    Shiven、您好！

    感谢您的支持！

    Q1和 Q2两个 MOSFET 现在都工作了、

    无负载情况下=>循环通电=>电路工作正常  

    但是

    在已加载条件下=>循环通电=>应用=>面临新问题=> Q1 MOSFET 短路(漏源极)并烧毁 .

    请提出一些解决问题的建议。

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    TI__Guru**** 2539500 points
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    尊敬的 Avinav：

    Q1 (HSFET)损坏可能是由于 MOSFET SOA 违例所致。  

    您可以使用该工具缩放启动。

    FET-INRUSH-SOA-CALC 计算工具|德州仪器 TI.com

    此致、

    Shiven Dhir

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    尊敬的 Shiven：

    我们 还将 IAUC120N06S5N017 MOSFET 用于 HGATE 和 DGATE。  

    我还连接了工作电路。 请参考此内容并提出您的建议。

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    TI__Guru**** 2539500 points
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    尊敬的 Avinav：

    如果带负载的下电上电会损坏 FET、这是因为您违反了 FET SOA。  

    FET 缓慢导通、将具有非常高的 PD。  

    其中 PD = VDSxCurrent (浪涌电流+负载)

    增大 dVdT 电容器会有所帮助。

    尽管建议在 VOUT 充电之前不要开启下游负载。

    此致、

    Shiven Dhir

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    TI__Guru**** 2539500 points
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    电容器可以、符合建议。  

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    TI__Guru**** 2539500 points
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    您好！

    我不确定是否有任何关于 dVdT 电容器的建议、因为这取决于系统需求

    此致、

    Shiven Dhir