[参考译文] BQ25798：VSYS 的仅电池模式配置

我忘记了提一下、目前我只能通过 VSYS 来匹配电池电压(VBAT)。 我似乎无法启用 BATFET 以将 VBAT 升压到所需的 VSYS。

尊敬的 Richard：

VBUS 的 OTG 模式具有在 REG 0.0D[6：0]中设置的电流限值。  如果施加的负载高于此限值、则转换器会从调节电压变为将电流调节至该电流水平、从而导致输出电压下降。   

在备用模式或 OTG 模式下、负载为 PMID、没有输出电流限制。  如果负载崩溃、则它从转换器中拉出过多电流、从而导致转换器进入逐周期电流限制。  施加的负载是多少？

对于备份模式：

 当 VBUS 为高电平并为 PMID 负载供电时、设置 EN_BACKUP = 1。  当 VBUS 降至低于阈值时、充电器本身会强制 EN_OTG = 1在设置 DIS_ACDRV=0后进入备用模式、以禁用两个 ACDRVx 引脚。  这会将外部适配器端口(大概没有有效电压)与 VBUS 隔离。   

如果在充电器处于备用模式时重新连接了适配器、用户可以将为 PMID 负载供电的电源从电池转换回适配器。 以下序列用于在重新布防备份模式的同时、从电池电源切换回 ACIN1：

1.将 BKUP_ACFET1_ON (REG0x16[0])寄存器位写入1。 设置 BKUP_ACFET1 _ON = 1会使器件设置 DIS_ACDRV = 0且 EN_ACDRV1 = 1。 之后、备用模式被禁用、但充电器保持正常 OTG 模式。 ACFET1-RBFET1被打开以将适配器连接到 VBUS。 用户必须确保适配器电压等于或高于充电器 VOTG 电压设置、否则充电器 OTG 输出可能反向驱动连接到 VBUS 的适配器。

2.通过将 EN_ACDRV1读回为1来确定 ACIN1上的源有效(未处于过压状态并且未失败不良源检测)。

3.设置 EN_OTG = 0、以退出 OTG 模式并进入正向充电模式而不会发生 PMID 电压崩溃。 设置 BKUP_ACFET1_ON = 1时、也会将 BKUP_ACFET1_ON 清除为0、并将 EN_BACKUP 设置为1。

此致、

Jeff