主题中讨论的其他器件:CSD25480F3、 CSD25483F4
工具与软件:
你好
我需要你的帮助
我正在设计 PCB 板、它需要能够在2个器件之间切换。
一般特性:
直流电压
电源- 12v 0.5A
电源- 9V 0.66A
电源- 5V 1.2A
总功率通常为6瓦
进行死区时间控制
逻辑
如果输入0 -器件1启用电源
器件2禁用电源
如果输入1 -器件1禁用电源
器件2使能电源
TI 是否有任何类似的 IC 功能?
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工具与软件:
你好
我需要你的帮助
我正在设计 PCB 板、它需要能够在2个器件之间切换。
一般特性:
直流电压
电源- 12v 0.5A
电源- 9V 0.66A
电源- 5V 1.2A
总功率通常为6瓦
进行死区时间控制
逻辑
如果输入0 -器件1启用电源
器件2禁用电源
如果输入1 -器件1禁用电源
器件2使能电源
TI 是否有任何类似的 IC 功能?
(无附加支持)
你好、约翰·华莱士
感谢您的答复
我对不同开关几乎没有经验。 由于这是一个原型设计、我对不同的方案很感兴趣、会构建一些 PCB 并对其进行测试。 您会得到什么?
我可以使用此类 MCU 提供支持吗?
逻辑
1 0 -器件1
0 1 -器件2
尊敬的 Mykaylo:
对于分立式实施、您可以使用 P 沟道 FET、比 N 沟道 FET 更易于驱动。 将每个 FET 的源极连接到输入电压、将漏极连接到各个负载。 PFET 通过将栅极拉至 GND 来打开、通过将栅极上拉至源极来关闭。 您应该能够使用上拉至输入电压的集电极开路输出直接从 MCU 驱动 P 沟道 FET 的栅极。 我推荐采用 F3 FemtoFET 封装的 CSD25480F3 -20V PFET、或采用 F4 (较小) FemtoFET 封装的 CSD25480F3 -20V PFET。 如果您有任何问题、敬请告知。
谢谢!
John
尊敬的 Mykhaylo:
FemtoFET 是具有可焊接 LGA (基板栅格阵列)焊盘的小型芯片级 FET。 推荐的两种 FET 都具有-20V BVDSS、并将使用12V 输入。 这些 LGA 器件的最大功率耗散约为0.5W。 由于导通电阻较低、CSD25483F4和 CSD25480F3在1.2A 电流下的导通损耗估计分别为335mW 和214mW。 这在软件包的功能范围内。 请务必遵循 TI PCB 封装和模板建议、以确保成功组装到您的 PCB 上。 下面是指向 TI FemtoFET SMT 指南的链接。
https://www.ti.com/lit/pdf/slra003
谢谢!
John