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[参考译文] BQ34210-Q1:学习阶段失败

Guru**** 1772095 points
Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO, BQ34210-Q1, EV2400
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1401957/bq34210-q1-learning-phase-failed

器件型号:BQ34210-Q1
主题中讨论的其他器件:BQSTUDIO、、 EV2400

工具与软件:

团队成员、您好!

我已经开始了学习周期

但当我在循环中连续读取 EOSLearnStatus()寄存器时,我能够看到 LUCD 和 LFAULT 标志正在上升。

我的电池容量为10000mA 1500

充电电流为2000mA

充电电压设置为4.2V

充电检测阈值设置为500、放电检测阈值设置为200mA

学习放电电流设置为512mA、学习放电电流边界设置为50%

我们已将电池充满电、并尝试了先放电后充电学习方法

请告诉我为什么会置位 LUCD 和 LFAULT 标志。

谢谢你

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    Vinay、您好!

    您能否与我们分享您尝试学习阶段的日志文件?

    此致、

    Nick

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    您好、Nick。

    我们正在控制来自 TI MCU 的电量监测计。 我们没有使用 BQStudio。 很抱歉、我无法生成该日志文件!

    谢谢你

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    您好、Nick。

    当 LAPAI 和 LAPAT 和 LAPAM 进入 LDSG 时、为什么会标记这些标志。

    我仍然不了解情况。 我已经检查了 Current()和 Temperature()、这些值看起来很好。

    但我为什么要得到这些标志。

    请让我知道我的错误

    我在回复中添加了我的电池规格文档

    谢谢 youe2e.ti.com/.../2.1091_A000A000_A_2600_S_A000_Power_A000_Li_2D00_ion_A000_21700_A000_3.6V_A000_10000mAh_A0002800_126_2D00_1.1_29002D4EF182876548722D002800_PCM_2B00_10kNTC_2B00_100kNTC_2B00_ID_2B00155FBF7E2900A000_240513-2-_2800_1_2900_.pdf

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    Vinay、您好!

    我们需要查看一个日志文件、以便能够向您指明发出这些标志的正确方向。 是否有可能从您的 TI MCU 进行周期性寄存器转储?

    此致、

    Nick Richards

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    您好、Nick。

    很抱歉、我们没有 EV2300编程器可以使用 BQStudio。 因此、构建日志文件和 srec 文件、我们需要配置器。 因此、从编译器来看、很难进行周期性寄存器转储。

    需要您的帮助

    谢谢你

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    您好!

    我们无法在没有电量计报告内容的日志文件的情况下解释某些标志设置和未设置的原因。

    我们将需要一个日志文件来帮助您进一步调试。

    此致、

    Diego

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    您好、Diego:

    这没问题、因为如果没有任何测量仪表日志文件很难判断。 但如果没有 EV2300、则无法为 BQ34210-Q1生成日志文件。 我只想知道一件事。 开始进入 EOS 模式、无论电流阈值是否被巧妙配置。  

    我们正在尝试 DISCHARGE-BEFORE-CHARGE 学习阶段、但对于以下配置、是否可以完成学习周期?

    设计容量- 10000mA 4.12.4.

    充电电压- 4.2V

    放电检测阈值- 260mA

    充电检测阈值- 500mA

    退出 Current - 180mA

    学习放电电流- 500mA

    了解放电电流绑定- 50%

    请告诉我这些配置是否有效?

    谢谢你

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    这是我的电池规格  

    "你是我的

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    您好!

    您可以使用任何 MCU 从电量计中读取报告的参数、记录这些参数以及创建可用日志文件所用的时间。

    感谢您提供电池规格、您的配置似乎正确。

    此致、

    Diego

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    您好、Diego:

    感谢您的响应

    我使用的是 TM4C MCU、能够将所需值的配置写入存储器。 正如我先前聊天中提到的那样、更改了 Design Capacity 和其他值。  

    我在这里的问题是、我可以启动学习阶段、它正在进入 Pre Relax 阶段。 静止位被置位。 实际上、这需要超过13分钟才能完全放松。 但静置后、它不会进入学习放电阶段。 我等了一个多小时。 EOSLearnStatus 寄存器未显示错误。 但在 LRLX 模式下仍然存在。

    请告诉我为什么它没有进入学习放电阶段?

    此致、

    Vinay

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    您好、Vinay:

    学习放电电流值由外部组件设置、而不是由 bq34210-Q1器件直接控制。 但是、在整个学习放电阶段都会监测该电流、并对其进行评估以确保其接近预期值。  

    一旦器件检测到放电、标志应翻转。

    此致、

    Diego

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    您好、Diego:

    学习放电电流由外部组件设置、但我们必须正确配置学习放电电流?  

    我的问题是从 LRLX(学习放松)到 LDSG(学习放电)不是翻转的。 等待1 小时后、状态也未更改。 甚至已提出{REST]位。 但放电 NIT 开始。

    请让我知道为什么它不翻转。

    谢谢你

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    您好、Diego:

    请告诉我何时必须开启负载。? 执行哪个相位。 到达弛豫阶段后还是到达放电阶段后?

    我是否需要更改存储器参数中学习放电电流值?

    放电检测阈值、我必须设置多少? 因此、据我了解、我不会进入 LSDG 阶段

    我已将放电检测阈值设置为200mA、但在打开负载之前、电流绝不会达到200mA。  

    谢谢你

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    您好!

    如果没有日志文件、我无法告诉您标志的设置原因、或者不设置标志、我需要了解电量计报告的值。

    请施加负载并对电池放电。

    此致、

    Diego

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    尊敬的 Diego:  

    我的问题是 "在哪个阶段我必须打开负载"

    比如有四相

    1.学习充电阶段。

    2.学习前放松阶段。

    3.学习放电阶段。

    4.学习后放松期

    请告诉我何时必须开启负载?

    谢谢你

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    尊敬的 Diego:

    电流在从放电状态波动到充电状态。 我正在连续读取 CURRENT()值。 但几秒钟后、将像0x1010 (4112mA)一样读取一些随机值、这完全错误。 我相信由于电流的变化、它不会进入任何其他阶段。  

    请告诉我,读当前()读数是很常见的吗?

    谢谢你

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    您好!

    学习放电阶段

    您的通信是否稳定?

    报告电流时是否存在任何其他错误?

    您的系统上是否出现该电流尖峰?

    此致、

    Diego

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    尊敬的 Diego:

    Curren ()和 Design Capacity ()值都是翻转的。 在两个读数4112中将更新相同的值。 这很奇怪,因为 Design Capacity()值一旦改变,它不应该改变,只要我们读取该寄存器,它应该是相同的正确? 但我观察到1/5的时间、因此4112值将更新。 为什么可能是这些读数出错。

    请告诉我10000 mA 电池的外部负载值是多少、等待以500mA 的速率放电。  

    谢谢你

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    您好!

    Design Capacity 值不应更改、此参数由用户设置。 从器件中读取数据的方式可能存在问题、或者读取的寄存器可能错误。  

    C/4放电率应该正常。

    此致、

    Diego

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    您好、Diego:

    不可以。我非常确定是以正确的方式读取了正确的寄存器。  

    因为我为 Design Capacity 和 Current()读取的值是正确的。 我也能够读出它应该读的内容。 我是通过投票方式读取它的。 因此、5-6次迭代之后、读数将出现错误。 它的值与我在 Design Capacity 和 Current()中得到的值相同、与4112相同。 Current()和 Design Capacity 值都将更改为4112。  

    假设以错误的方式读取 Current()和 Design Capacity 值。 但当 CURRENT()值更改为4112时、我将在 EOSLearnStatus()中获得 LABRT 标志。  

    正在由某个东西中止的操作

    请告诉我为什么会出现此错误。

    谢谢你

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    Vinay、您好!

    您能否在整个过程中尝试学习周期并记录数据? 执行此操作时、是否要将所有寄存器记录在电量监测计上? 一旦我们可以看到寄存器在整个学习周期过程中是如何变化的、我们就能够确定标志为什么一直保持设置。

    此致、

    Adrian

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    您好、Adrian、

    很抱歉、我们没有 EV2300或 EV2400。 因此无法记录学习周期。

    如有可能、请提供任何其他解决方案。

    谢谢你

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    团队成员、您好!

     我的电量监测计将按预期读取 Design Capacity()和 Current()值。 但在一些错误之间会读,我不知道为什么确切。

    我们探测了感应电阻器(SRN、SRP)、而且 示波器上无法看到电流尖峰。 但可以在软件中看到。  

    我每隔1秒读取一次 CURRENT()和 DesignCapacity ()寄存器。 但仍然可以观察到正在读取的错误。

    第1个图像正常读数

    读取第二个图像错误

    该错误是随机的。

    请告诉我是什么原因导致读取此错误。 因为当达到4112读数时、我们不能在使用示波器探测的硬件中看到任何尖峰。  

    谢谢你

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    您好!

    可能与系统中的噪声有关。

    您是否也在 EVM 上看到过此问题?

    此致、

    Diego

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    您好、Diego:

    很抱歉、我们没有 EVM。  

    无法通过 EVM 重新创建此问题。

    示波器中也应该可以看到噪声、对吧?

    但我们在示波器读数上看不到任何差异。

    这些读数直接从电量监测计寄存器中读取。

    只读寄存器没有相关性或配置、对吧?

    无论它读取的值是多少、它都应该反映出来。  

    但我的问题是究竟是什么导致了这个问题。  

    噪声意味着它不仅应读取4112也应读取其他值。 但误差值4112只能随机读取。  

    读数将是正确的或4112。 无法读取其他噪声值

    这让我现在想得更多。 如何在两个不同的寄存器中看到相同的错误读数。  

    我的另一个问题是、我们正在开始时将 Design Capacity 值设置为10000mA。  

    但是,在 Design Capacity()寄存器读数中,错误读数4112是如何以随机间隔读取的。

    如果您每秒读取一次 CURRENT()和 Design Capacity()、则10次中有2次读取值4112、要么在 CURRENT()中读取、要么在-128mA Design Capacity()中读取、要么在 Design Capacity()中读取、要么在 Design Capacity() 10000mA 中读取、要么在 Current ()中读取、要么在 Design Capacity()中读取8次是正常的

    如果我遗漏了什么、请告诉我

    谢谢你

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    Vinay、您好!

    您能否发送您正用于 TI MCU 执行这些读取指令的代码。

    此致、

    Adrian

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    尊敬的 Adrian:

    我在哪里可以共享用于 TI MCU 的代码。

    是否有链接或我必须直接在此处共享我的文件?

    谢谢你

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    Vinay、您好!

    您可以直接在论坛上共享该文件。

    此致、

    Adrian

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    e2e.ti.com/.../fuel_5F00_guage.ce2e.ti.com/.../fuel_5F00_guage.h

    您好、Adrian、  

    在此响应中添加了.c 和.h 文件。

    谢谢你

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    Vinay、您好!

    谢谢、请允许我花点时间来浏览该代码。

    此致、

    Adrian

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    您好、Adrian、

    正在等待更新。

    谢谢你

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    Vinay、您好!

    很抱歉、此主题在我的收件箱中丢失了。 我看了看代码,没有看到代码的明显问题。 由于您使用的是 TI 微控制器、因此我建议他们的团队发布新主题、以便了解我们怀疑 TM4C 存在通信问题。  

    此致、

    Adrian