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[参考译文] UCC21755-Q1:关于 UCC21755 VDD 电容器弯曲

Guru**** 1800230 points
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1424403/ucc21755-q1-about-ucc21755-vdd-cap-slection

器件型号:UCC21755-Q1

工具与软件:

尊敬的专家

使用 UCC14141和 UCC21755。 UCC21755需要 VDD 向 COM 添加至少10uF 的电容。 对于 UCC14141-COM、当 VDD 之间的电容为10 μ F 时、VEE COM 需要增加50 μ F。

当前的问题是 UCC21755-COM 之间的电容是否 VDD 可以降至2.2uF。 UCC14141附近仍有2.2uF 的电容、并将在 UCC21755 VDD VEE 附近额外增加10uF? 如下图所示进行配置
驱动频率70kHz、Qg 600nC。

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    尊敬的 Gabriel:

    感谢您的咨询。 我们的专家目前不在办公室、我们将在美国中部时间明天结束前与您联系。 感谢您的耐心和理解。

    此致!

    Pratik

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    尊敬的 Gabriel:  

    有了这个开关频率和 Qg、在 VDD UCC21755-COM 上使用2.2uF 电容、我认为风险很小。 推荐的电容器旨在确保电源轨在开关时保持稳定。 如果在测试期间、VDD 上的纹波是可接受的、并且不会影响器件正常运行、则系统正常。  

    确保将小型去耦电容器(~0.1uF)尽可能靠近电源引脚放置。  

    谢谢!  

    Vivian