工具与软件：
LM5155升压转换器设计：-
您好！
我将在下面提到的 I/P、O/P 参数中遇到 MOSFET 和肖特基二极管的发热问题。
MOSFET 加热到120度以上后、输出将降低。
是否存在 LM5155控制器的热关断？ 或 MOSFET？ 或电感器？
是否有任何其他参考/参数导致发热问题？？？？
输入电压：- 8.4V 至12.6V
输出电压：-54V/2A
开关频率：- Fsw：- 445Khz。
电感器为10uH/10Amp
MOSFET：- IRFB4110 100V/180A
参考范围：-
您好、Moritz、
感谢您的建议。
我已经随附了源极与源极 W/F 的漏源极与栅极以及电路板的热感图像、供您参考。
结果表明、LM5155升温超过140度@ 0.6A LAOD @ 54V Vout。
MOSFET 也发热到100度以上。
您好、Chandrakant：
我看到 FET 的开启速度非常慢。 这会导致大量热量。 您是否确定电阻器 R27为0欧姆？
IC (SW ON)的电源来自哪里？
您能否尝试将其直接连接到12V 输入？
在这种情况下、Vout 是否甚至达到54V？ 您是否可以发送显示 Vin、Vout、开关节点和 CS 引脚的示波器截图？
因为占空比应该高得多。 因此也可能达到电流限制。
此致
Moritz
您好、Moritz、
感谢快速响应。
是、栅极电阻为零欧姆。
正如您建议的、我将使用1k 进行斜率补偿。
是的 FET 缓慢打开。 我已检查其 Vth 最小值为2V、Rds ON 为4.5m Ω。
在我的设计中、偏置和 VCC 直接连接到 Vin。 它的最大电压为12.6V
我得到的最大输出电压为53.24V。
占空比为86%。 相对于 Iout 的增加、它从70%逐渐增加到86%。
尊敬的 Moritz：
我使用的是 Qg 较小的 MOSFET IRF530NPBF。
我将在内部调节的 VCC 处获得良好的栅极脉冲。
漏极未正确关闭、输出电流高达0.5A。
负载增加到0.6A 以上后、便可获得正确的漏极脉冲(请参阅随附的波形)。
L=10uH/10A。
斜率补偿电阻器 RSL = 1K Ω
Rsense :- 5mOHM
COMP 电路：-
Rcomp：2.2千欧
Ccomp：22nf
CHF :- 220pf
Fsw：-170Khz。
在高于上述值的情况下、MOSFET 与之前相比发热较少。
LM5155不发热、而是电感器 L 温度上升到90度@ 0.8A 或1A 负载以上。
请查看随附的波形和热感图像、以供您参考。 
尊敬的 Moritz：
我已更改额定电流更高的电感器、18A/20A I 饱和电流、并将 MOSFET 更改为 SMD 封装(BSC0802LSATMA1)。
我无法将其加载到15W 以上的输出功率。
输入电压：- 8.4V 至12.6V
输出电压：-54V/1.5A
开关频率：- Fsw：- 445Khz。
电感器为8.2/18A
MOSFET :-(BSC0802LSATMA1 )。
之前我使用通过整个 MOSFET 和我能够消耗高达1.6A 的电流,通过改变布局,电感和 MOSFET 后,我无法获得所需的输出功率。
我将关注 LM5155快速入门设计计算器和 Webench 电源设计器、但未获得适当结果。
请查看随附的波形以供参考。
尊敬的 Moritz：
我已附加了快速入门设计、我将遵循该设计进行设计。
在附加的图像中可以看到、漏极峰峰值电压超过90V @0.4A、因此 MOSFET 和电感发热且 IAM 无法实现所需的输出电流。
I 正在使用3.3uH 电感器18A 电流和30A 饱和电流(SRP1265A-3R3M)以及 MOSFET 20A/156A 100V (BSC034N10LS5ATMA1)、3.4mOHM 上具有低 RDS 和低 Qg。 和二极管(SS2PH10-M3/84A) 2的并联拓扑。
软启动、补偿回路、FB 回路和电流感应值根据快速启动设计确定。
请@为什么 MOSFET 电感二极管发热时的负载电流非常小？？？
PCB 布局是否存在任何问题。 (所有组件均为 SMD)是否可在关闭时用于 MOSFET 漏极尖峰和栅极振铃？
请浏览该波形、并建议是否需要进行任何更改。
非常感谢您的支持。。
尊敬的 Moritz：
请查看随附的文件、
WEBENCH、数据表和评估板中的补偿电路存在差异。
评估板在 R17之前具有 C24、但在评估板文档中的实际电路板图像中、显示了电阻器焊接在 C24的位置、电容器焊接在 R17上。
请指导我完成补偿环路组件的放置。
是否会导致驱动源极电压脉冲中出现尖峰。
谢谢... 
