工具与软件：
我正在汽车 VFD 应用中使用3个 LM5109BMAX/NOPB。
MOSFET 模块是一款半自动 NXV08V110DB1。
我的驱动器电路如下所示：
我想我已经满足数据表中的所有要求、
- VDD 介于8和14伏之间-一个电压调节器负责处理。
- HS 介于-1和90伏之间,我的直流电源电压限制为60伏,通常直流总线电压设置为12 - 15伏..
- HO 和 LO 被钳制为负电压
除了一个、我不知道要确保 HB 至 HS 的值保持在限制范围内、该值很热：
第7.5章"HS 瞬态电压低于接地值"说明：
在应用中、HS 节点被外部下限 N-MOSFET 的体二极管钳位、因此 HS 电压通常为
不超过–1V。但是在某些应用中、电路板电阻和电感可能会导致 HS 节点超过上述值
出现故障。 如果 HS 上发生负瞬态、则 HS 电压绝不能比 VDD–15V 更负。例如、IF
VDD = 10V 时、HS 处的负瞬态不得超过–5V
如何确保 HB 保持在其限制范围内？
如果我想尝试使用从 HS (阳极)到 HB (阴极)的12V 齐纳二极管强制执行这一点、实际上我会将电机相位与驱动器电源连接。 对我来说、这听起来真糟糕？
有没有人对我有实际的建议,如何实现这一点? 非常感谢
您好！
HS 上的负电压瞬态可能会导致自举电容器 C1过度充电。 与自举二极管 D3串联一个2.2至10欧姆的电阻可以 限制自举电容器在负 HS 瞬态期间过充。
HB-HO 上的二极管也可能会摆动。
谢谢！
Walter
你好、Walter、
感谢您的答复和建议。
我已经在自举二极管上添加了一个串联电阻器、但我不确定该二极管。 您是这样意思、如下面的屏幕截图所示吗？
是的、回答正确。 如果说我三思而过、显而易见、HO 上具有阳极和阴极的二极管可能会导通 MOSFET。 这是肯定的东西,我不想...
我想具有40伏电压的1N5819无法解决问题。
除此之外、我想我必须在有和没有 D50的情况下对其进行测试。 ATM 我认为 D44应该防止 HS 上出现 HS 负瞬变。
感谢您发送编修。
