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器件型号：LM7480-Q1 工具与软件：
您好！
根据 TI 的原理图审阅、对于200mA 的浪涌、C736设置为33nF、R495设置为100欧姆。
但使用这些电阻器、电容器值时、基于 TINA 仿真、Vin 和 Vout 之间的延迟是~5.8ms。
但根据我们的设计要求、该延迟需要小于3ms。
我们如何实现相同的效果？
我们的 MOSFET 是 BSC026N08NS5
