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[参考译文] CSD87352Q5D:VdS/ID 的饱和曲线是否仅显示欧姆区域?

Guru**** 2378720 points
Other Parts Discussed in Thread: CSD87352Q5D
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1427214/csd87352q5d-saturation-curve-for-vds-ids-only-showing-ohmic-region

器件型号:CSD87352Q5D

工具与软件:

您好!

我正在 通过查看 SLVAEQ9 应用报告、更精确地计算使用 CSD87352Q5D NexFET 设计的同步降压转换器的效率。 为了计算 高侧 MOSFET 上的开关损耗、 计算了 VPL 和 Vgs (th)、并在稍后插入到开关损耗公式中。

现在、在应用报告中、第3.1节显示了 21-24)以及 如何使用 图7中的值计算 kN 和 Vgs (th)。 现在、当我查看 CSD87352Q5D MOSFET 时、相同曲线未显示此特定 MOSFET 的饱和区域(我看到更多的 MOSFET 未显示饱和区域)。 左侧的图像显示了该曲线)。  右侧的图像显示了与应用报告中相同的曲线。  

如何计算  CSD87352Q5D 的 cualte kN 和 Vgs?  

THX

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    您好、AR:

    感谢您关注 TI FET。 遗憾的是、数据表中的饱和曲线对于高侧 FET 仅延伸至 VDS = 0.4V、对于低侧 FET 仅延伸至 VDS = 0.2V。 我认为这是由于用于生成这些曲线的测试仪的电流限制。 我使用了 PSpice 模型为高侧和低侧 FET 生成 IDS 与 VDS 曲线。

    高侧 FET: VGS1 = 4.5V、ID1 = 79A、VGS2 = 4.5V、ID2 = 60A

    低侧 FET:VGS1 = 4.5V、ID1 = 155A VGS2 = 4.5V、ID2 = 123A

    请查看并告知您是否需要其他信息。 我还包含了指向应用手册的链接、该应用手册介绍了如何计算功率损耗(包括共源电感)。

    https://www.ti.com/lit/pdf/slpa009

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用