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[参考译文] BQ25730:开关频率下的死区时间

Guru**** 1807890 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25730, BQ25730EVM
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1425668/bq25730-dead-time-at-switching-frequency

器件型号:BQ25730

工具与软件:

尊敬的埃米尔和马当斯:

您能否向我们介绍 BQ25730的开关频率和死区时间?

要选择 FET、我需要知道数据表上列出的800kHz 和400kHz 时的死区时间。

BQ25730EVM 中使用的 AON6362 FET 是一款超快速 FET。

您是否具有​​FET 所需的 Qg、TR/TF、DELAY 等指导值?

 

此致、

毫米

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    其他信息、

    我们将 ISC009N06LM5连接到 HIDRV 和 LODRV。

    查看数据表后、可以看到 Toff 延迟很慢。

    数据表 ISC009N06LM5 (infineon.com)

    下面是测量实际波形的结果。

    150pF 与低侧 FET (G-S)并联安装。

    此致、

    毫米

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    您好、MM、

    我们建议使用具有与 EVM FET 类似特性的 FET、例如低 Qg <60nC、10ns 至20ns tr/tf 时间。  

    我们的死区时间范围为40-50ns。  

    此致、

    老虎

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    你好、Tiger、

    这对我们很有帮助。

    我们将考虑重新选择 FET。

    此致、

    毫米