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[参考译文] LMG5200:参考设计上的噪声

Guru**** 1821310 points
Other Parts Discussed in Thread: TIDA-00909, LMG5200, BOOSTXL-3PHGANINV, LAUNCHXL-F280049C, TIDA-00913, INA240
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1425395/lmg5200-noise-on-reference-design

器件型号:LMG5200
主题中讨论的其他器件:TIDA-00909BOOSTXL-3PHGANINVLAUNCHXL-F280049CTIDA-00913、INA240

工具与软件:

您好!

我们一直在使用 LMG5200s 并基于 TI 参考设计 TIDA-00909开发电机控制板。 该板通过主电源连接器的标称电压为24V。 除了为 LMG5200s 供电外、它还可为5V 和3V3电源轨供电(与 TIDA-00909类似)。 这些电源轨为其他器件供电。

我们观察与 SW 节点转换一致的所有电源轨上的噪声问题。 其中一些噪声突发大到足以中断电机控制 MCU 和其他器件之间的 UART 通信、从而在启用 LMG5200时导致数据包丢失。

我们正在研究可以采取哪些措施来降低噪声。 在我们意识到该参考设计的噪声与我们的电机控制板的噪声一样大的过程中、 以下测量是使用连接到 LAUNCHXL-F280049C 的 BOOSTXL-3PhGaNInv 进行的。 开关频率为10kHz。 电机被命令进入初始位置、并且在静止位置未消耗任何显著电流(100mA)。 这是我们观察到的最小噪声。 当电机消耗更多电流时、噪声会变得更糟。

 下面是一个屏幕截图、使用1GHz 探头(Tektronix TPP1000)并使用"回形"接地连接来最大限度减小接地环路尺寸、来探测3V3电源轨。 TP1 GND 测试点与 R50丝印旁边的相邻3V3之间进行连接。

蓝色迹线仅用于触发目的(直流耦合、全带宽、测量 U1 LMG5200的 SW 节点)。 黄色迹线是3V3电源轨(交流耦合、全带宽)。 示波器捕获还显示了3个其他保存的波形布线(R1-R2-R3)、这些布线说明了 SW 节点回铃干扰到3V3电源轨的可重复性。 (在黄色迹线上显示的初始噪声突发之后50ns 的噪声突发仅是另一个 SW 节点触发。) 这些突发的幅度(1.4V pk-pk)在电源轨上是不可接受的。

以下内容讨论了稍微相关的问题、尽管这是一种特殊应用、但我们的仅为直线电机控制、如参考设计所示。

e2e.ti.com/.../4437367

建议

  1. 确保测量技术使用"尖头与桶"方法
  2. 检查 PCB 布局误差或较大的电感环路
  3. 降低开关频率

1)我们的测量技术尽可能接近尖端和接地筒。 2) 2)受测器件是 TI 的参考设计、并且遵循了所有 PCB 布局建议。 和3)开关频率非常低(10kHz)。

但它受到 SW 节点干扰。 您对我们如何提升抗噪性能有什么建议吗?

此致!

Laszlo

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    Laszlo、您好!

    感谢您测试  BOOSTXL-3PhGaNInv 和您的反馈。  

    TIDA-00909/TIDA-00913和 LaunchPad 之间的 GND 反弹(比用户报告的要小)。 您可以看到、在 TIDA-00913设计中的单端相电流测量。 不过、这些反弹从未在 C2000 MCU 上引起故障(本例中为)、请参阅 TIDA-00913图50。  C2000 ADC 的测量误差为2A 瞬态尖峰、只会转化为约2A/33A*3.3V ~ 0.2V 的 GND 噪声尖峰。    

    电机电缆有多长? 由于 GaN-FET 的高 dV/dt、当由于传输线路反射而使用超过1m 左右的电缆时、您可能会在 PWM 开关期间看到相电流振荡。 频率取决于电缆长度/传播延迟。 如果这是您的用例、这些额外的振荡是否会是问题?  
    如 TIDA-00909所示(例如图9)、可以使用 LC 射频滤波器(在名为 EMI LRC FILTER 的报告中)来降低 dV/dt 压摆率、从而得到图64。
    有关滤波器的注意事项。 我使用了电感器 L1的电容器占位符、因为当时电感器不在 Altium 库中。   

    如何通过 UART 将另一个 MCU 连接到 F280049C? 该 MCU 从何处获得3.3V 和 GND?

    改进 UART 的一个选项是使用 RS485来处理共模噪声。 你试过吗?

    此致、
    Martin

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    尊敬的 Martin:

    我能够在 R50焊盘和 TP1测试点顶部之间使用尖端和接地筒方法在 BOOSTXL-3PhGaNInv 上进行一些其他测量。 在执行该测量时、噪声幅度要小得多、现在我只看到0.3V 的峰峰值、而在使用探头尖端的短弹簧夹进行测量时只看到1.4V。 因此、噪音可能没有我们所怀疑的那么大。  

    作为记录、与评估一起使用的电机引线大约为一英尺长、但这似乎不再相关。 在我们的电机控制板上有 EMI 滤波器、电机引线只有大约3英寸长。

    在电机控制板上、主电源来自(VBUS)、后者由 LMG5200直接接收。 然后、在电路板上降低该同一电源轨的电压、从而产生5V 电源轨以及为 MCU 供电的3V3电源轨。 VBUS (和 GND)也通过连接器传递到另一个电路板、该电路板也会将其降低至5V 和3V3、以便为 UART 通信另一端的另一个 MCU 供电。 我们一直在考虑在两个电路板之间添加 π 型滤波器。

    我们也在考虑使用 RS 至422。 我们很可能实现它以获得更好的抗噪性。

    此致!

    Laszlo

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    Laszlo、您好!  

    感谢您的反馈。 很高兴看到您的测量结果与我们通过 C2000 MCU ADC 测量结果(~0.2V GND 反弹)可以看到的结果相符。

    RS422应帮助您实现更稳定的板对板通信、确保使用相应的差分线路端接。

    此致、
    Martin   

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    尊敬的 Martin:

    接着又问一个问题。 为了进一步减少上述接地反弹(即使看起来很小)、您有何建议? 增加 VIN 电容是否有帮助? 我的理解是、接地反弹通常与开关晶体管处的电流浪涌有关、而这种浪涌会在局部影响接地电势。 这可以通过增加电容来缓解、因为增加电容可以为这种浪涌提供电荷而不影响其他地方的接地。 但在本 LMG5200中、很多此类噪声似乎都通过高 dV/dt 开关节点的电感耦合产生。 因此更大的电容不一定有用。 您有任何见解吗?

    此致!

    Laszlo

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    Laszlo、您好!

    您可以试验增大/减小靠近每个 LMG5200的陶瓷去耦电容、例如 C4、C5、C6、C7。  
    但是、我在测试设计时还没有尝试对瞬态 GND 噪声的影响。

    布局也很重要。 理想情况下、我们在模拟和电源 GND 之间采用星形 GND 连接、并且带有电源环路的瞬态电流不会影响模拟 GND 平面。 由于我们有三个半桥驱动器 LMG5200、每个驱动器都有内部 AGND 到 PGND 连接、因此无法实现理想的星形 GND。 但是、正如我已经提到的、我们没有看到 PWM 等数字 CMOS 信号有问题、因为瞬态 GND 反弹处于0.2V 范围内。

    此致、
    Martin  

      

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    谢谢你、Martin。 当您使用相电流测量(而不是直接测量电源轨上的电压)来评估接地反弹时、是因为很难准确测量这些高速瞬变吗? 正如我的经验所示、接地环路尺寸减小对测量的噪声尖峰电压幅度有很大影响。 但是、电流测量芯片的输出电压是否不会受到同样的影响?  

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    Laszlo、您好!

    使用 LaunchPad 上的 C2000 ADC 在一个 PWM 周期内测量 INA240模拟输出的 ADC 测量结果为 A 系统测试 和验证了对 Launchpad (连接到 TIDA-00909)上 ADC 测量结果的潜在瞬态 GND 噪声的直接影响。

    从报告中可以看出、模拟测量误差在0.2V 范围内、应该会反映真实的系统瞬态 GND 噪声。 通过在 MCU 与功率级之间进行功能隔离、我们可以进一步降低 PWM 开关的影响。  

    此致、
    Martin