[参考译文] LM5146-Q1：效率改进

您好！

请发送一个完整的快速入门计算器、以便我们查看功率损耗。 效率较低、应该是94%+。

此致、

TIM

尊敬的 Venkatesh：

下面是关于快速启动文件的一些注释：

1. 电感器纹波电流为66%为高、这会导致高磁芯损耗(在轻负载条件下的效率影响方面、尤其是使用高磁芯损耗 Vishay 电感器时、最明显的影响)。 正常值为30-40%-根据建议尝试10uH、或者将 Fsw 增加到200kHz 并保持5.6uH。
2. 陶瓷输出电容的电压降额、并根据需要更新快速启动(因为这会影响补偿值)。
3. 用于48V 至12V 转换的高侧 FET 无需如此低的 Rdson (因为占空比 D = 25%)。 最好使用更高的 Rdson FET、以降低开关损耗。 它的优化非常重要、因为高侧 FET 将是设计中的热点。
4. 输入1Ω 作为高侧 FET 内部栅极电阻的估算值

这里的 FET 器件型号是什么？ 看一下 LM5146 EVM 中使用的100V FET -根据此处更高的电流电平、使用更低的 Rdson 增量。 请参阅 Infineon 和 onsemi 100V 5 x 6mm FET 产品系列以获取参考。

此致、

TIM

非常好的低侧 FET。 您可以实现更高的高侧 FET Rdson。