This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1428221/csd87381p-regarding-thermal-failing-for-1-8v-at-1a-junction-temperature-excedded
工具与软件：
大家好、团队成员：
我正在理论上计算 CSD87381P 在1.8V/1A 时的热性能、并且正在达到151.56°C 下降。 所 RθJAR 的热阻(R θ JA_｛θ JA｝RθJA)为84°C/W、结温设定为125°C。 请阐明如何正确考虑热计算
谢谢！
Gayathri。
您好、Garathri、
感谢您关注 TI FET。 让我确保我理解您的问题和条件。 首先、具体应用是什么？ 输出端电压为1.8V@1A 的同步降压转换器是否使用 CSD87381P？ 还是假设器件在1A (1.8W)下的压降为1.8V？ 在具有良好散热布局的多层 PCB 上、该封装的最大功耗能力约为1.8W。 当然、这取决于您的环境条件。 数据表中指定了具有2oz、Rθja μ m 铜焊盘的单层 PCB 上的 R θ 1in²、这可能并不代表您的 PCB。 Rθja 板层叠和设计的不同、系统中的实际 Δ V 可能更低。 请参阅下面链接中的技术文章、了解 TI 如何在 FET 数据表中测试和规格热阻。 CSD87381P 散热的主要路径是通过焊接到电路板和 PCB 中的焊盘。 由于有金属标签、此器件还可以与散热器一起使用。 我拉起了在产品开发期间收集的 CSD87381P 的应用数据。 和0.95μH 电感器。 在15A 条件下测量的功率损耗约为3.3W、器件的温度为无气流时的78°C。 相当于等效的 Rθja μ m 约16.2°C/W。 如数据表所示、测量是在尺寸为4英寸(宽)× 3.5英寸(长)× 0.062英寸(高)和6个铜层(覆铜厚度为1oz)的 PCB 设计上进行的。 如果您有任何问题、敬请告知。
https://www.ti.com/lit/pdf/SSZTB80
此致、
约翰·华莱士
TI FET 应用
大家好、Garyathri：
抱歉、我拼写错误。
John
尊敬的 John：
我们将这个 Mosftet 与 PMIC TPS6508641RSKT 一起使用 、为 Zync Ultrascale plus 供电。 我们的查询针对的是1.8V 电源轨、此时电流消耗为5A。 我们想知道。 该 MOSFET 在5A 电流下的功耗。根据我们使用此器件的功率计算器进行的计算、其功耗约为1.139WW。 请告知我们。
根据上面的信息、我们将重新计算结温、并根据数据表检查其是否处于最大额定值范围内。
尊敬的 Gayathri：
感谢您的更新。 1.139W 的功耗在封装的能力范围内。 为获得出色热性能、请遵循数据表中的布局建议。 TI 在数据表中描述的 PCB 上进行了测试、我之前的响应中也提到了这些测试。 该电路板的 Rθja Θ 约为16°C/W。 您可以反向 Rθja、根据您的条件确定目标 Rθja 值：tj= Tamb +Δ t x Pd -> Rθja Δ t =(Tj - Tamb)/ Pd。 例如、如果 TMB = 55°C、Tj = 125°C、则 Rθja =(125°C - 55°C)/ 1.139W = 61.5°C/W。 您应该能够通过遵循数据表中的布局建议来实现这一点。
