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[参考译文] CSD19536KCS：CSD19536KCS

admin
Guru**** 1810550 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ34Z100, CSD19533KCS, CSD19536KCS, CSD19531Q5A, CSD19534KCS
请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1427284/csd19536kcs-csd19536kcs

器件型号：CSD19536KCS
主题中讨论的其他器件： CSD19531Q5A、 CSD19534KCS、CSD19533KCS、BQ34Z100

工具与软件：

我需要 BMS 或组件来更换持续15-25年的 BMS。 功能包括 High Low Voltage Cut、Temp 和 Cell Balancing。 任何创造性的想法或帮助将是非常有义务~

我们还需要用于电池放电的 MOSFET  

德州仪器(TI) CSD19536KCS、N 沟道 MOSFET。 以下是主要详细信息：

  • 型号：CSD19536KCS

 https://docs.google.com/document/d/18yXVwDWiur1d0TmkCBS8HNKzGirxqyJUFaSq7PAGLnk/edit?usp=sharing

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    TI__Guru**** 1810550 points
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    Daniel、您好！

    感谢您的咨询。 我是 TI 功率 MOSFET 产品系列的应用工程师。 我建议您的应用至少使用80V 的 FET。 CSD19536KCS 是 TI 采用 TO220封装的最低导通电阻100V 器件。 当 VGS = 10V & T = 25°C 时、最大导通电阻= 2.7mΩ。 在该封装中、它也是成本最高的 FET。 根据电流要求、我们在同一封装中提供了成本更低/电阻更高的 FET。 我看到逆变器的最大输入电流为12Adc。 这是 FET 需要传导的最大电流吗？ 请分享 FET 的最大电流要求、我可以提供更好的建议。 选择 FET 后、我可以将该线程重新分配给 TI 的 BMS 应用团队。

    此致、

    约翰·华莱士

    TI FET 应用

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    TI__Guru**** 1810550 points
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    是的、我们仅使用微型逆变器、它可以持续放电380-384瓦

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    TI__Guru**** 1810550 points
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    Daniel、您好！

    使用12ADC max、VGS = 10V 且 T = 65°C、计算出 CSD19536KCS 的导通损耗约为0.5W。 两个具有较低成本/较高 RDS (ON)的替代方案包括 CSD19534KCS (3.1W)和 CSD19533KCS (1.9W)。 能够耗散5W 或以上功率并借助散热器和气流的通孔 TO220封装。 我们还提供这些器件的 SMT 版本(后缀 KTT)以及5x6mm SON 封装 FET、如果您要使用表面贴装封装、还提供 CSD19531Q5A (1.2W)。 如果您有任何问题、敬请告知。 如果不是、我会将该线程重新分配给 BMS 应用团队。

    谢谢！

    John

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    TI__Guru**** 1810550 points
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    这是完美的,谢谢。 这是主要的问题,因为正常 BMS 只持续4-5年,除非它来自 Delta Electronics。 橡树岭国家实验室有一个潜在的25年 BMS ,他们使用的核,但他们不确定自己!

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    TI__Guru**** 1810550 points
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    我实际上有这些问题                                                                                                                "

    • 减少热耗散 :考虑到微型逆变器将处理高达380瓦的连续功率,建议的 MOSFET (如传导损耗为0.5W 的 CSD19536KCS )是否仍能在您设置的预期热条件下保持稳定运行? 是否建议使用特定尺寸的散热器来管理这些热负载？

    • 与 LTO 单元的兼容性 :与其他锂基电池相比,LTO 电池通常具有较高的充电/放电速率和不同的特性。 在处理 LTO 电池中常见的高电流尖峰时、这些 MOSFET 是否有任何注意事项？

    • 微型逆变器集成 ：提供的12V 栅源电压(VGS)和特定 MOSFET 替代方案是否最适合与微型逆变器连接并高效地处理380瓦的连续负载？

    • 表面贴装选项 : SMT 版本,特别是5x6mm SON 封装 FET (CSD19531Q5A ),在这个模块中的紧凑型设计是否更好? 它们是否能够在无需散热器的情况下可靠地处理散热？"

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    TI__Guru**** 1810550 points
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    Daniel、您好！

    请参阅下面链接中的技术文章。 这为各种 TI FET 封装提供了"经验法则"的最大功率耗散。

    • 我使用了12Adc 电流来计算 FET 中的导通损耗。 是的、TO220将保持稳定运行、功耗为0.5W。 根据环境条件、它实际上会消耗更多的功率。 使用散热器并借助气流。 许多散热器制造商都生产 TO220散热器。
    • FET 非常擅长处理包括尖峰在内的高电流。 您可以使用数据表中图4-1中的瞬态热阻抗图估算由于单脉冲和重复电流脉冲而导致的结温升。 下面的第二个链接是有关使用瞬态热阻抗图的技术文章。
    • 只要栅极驱动至 VGS≥6V、FET 就应该适合此应用。 使用更高的栅极驱动电压时、VGS = 10V -12V 将降低导通损耗、因为 VGS = 10V 时的 RDS (ON)比 VGS = 6V 时更低。
    • 在设计良好的多层 PCB 上、5x6mm SON 封装的最大功耗约为3W、该 PCB 具有散热过孔并具有最大的铜面积。 大多数客户喜欢将功耗限制在较低的值、以保持良好的热裕度。

    https://www.ti.com/lit/pdf/sszt389

    https://www.ti.com/lit/an/sluaat8/sluaat8.pdf

    谢谢！

    John

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    TI__Guru**** 1810550 points
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    此工作计划对我的电池 MOSFET 团队有何影响？                                                                                       "

    Jessie 工作计划:集成和测试用于微型逆变器放电的 MOSFET

    1. 安装 MOSFET (CSD19536KCS) ：

      • 接线 避免击穿 之间的差值 电池模块 和 微型逆变器 来控制放电。
      • 确保 A 10-12V VGS 以实现最佳性能、从而最大限度地减少导通损耗。

    2. 热管理 ：

      • 安装合适的 TO220散热器 以使散热 0.5W 导通损耗 开关节点振铃。
      • 确保 正确的气流 确保连续运行。

    3. 测试装置 ：

      • 运行测试以确保 MOSFET 能够管理 380-384W 放电限值 太阳能逆变器。
      • 监控器 热性能 和电压电平、以确保稳定运行。

    4. 命令 ：

      • 是、发送 这两份 TI PDF 致杰西。
      • 关键部分：
        • TI1 PDF :关注重点 热耗散越大 使用散热器 TO220封装 (对长期运行很重要)。
        • TI2 PDF :评论 热阻抗 (针对尖峰)、具体来说 图4-1 以了解结温行为。"
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    Daniel、您好！

    是的、听起来不错。 我认为您不需要散热器、但您可以自行研究。 我已将其重新分配给我们的 BMS 应用团队、以帮助您进行 BMS 设计。

    谢谢！

    John

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    不错:) 谢谢约翰  

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    Daniel、您好！

    我看到您在设计中使用的是55伏电池。 对于该高压电池、我们建议您使用 BQ34z100 (https://www.ti.com/product/BQ34Z100)。 如果您希望准确地监测电池电量并能够获得电池中估计电量的百分比、该器件将是最佳选择。

    此致、

    Adrian

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    您是否有 BMS 可以支持24节电池而不是16节电池？ 是否有 BMS 可以使用高质量组件持续工作15-20年？ 每个1kWh 电池模块只能在.2 C 下放电(约380瓦)、因为我们将限制在 Enphase 微型逆变器中、因此不存在超高功率。 即使电池模块的峰值可达到19000+瓦特、持续10秒、哈哈。

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    Daniel、您好！

    BQ34z100非常灵活、能够支持24节串联电池的配置、因为每节电池的标称电池电压仅为2.3。

    此致、

    Adrian

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    很好。 它将放电380瓦、大约0.2摄氏度。电路板可以持续15-20年吗？ 我只能享受1年保修。 如果不能、是否有可能添加更好的元件？

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    Daniel、您好！

    是的、此器件应该可持续15-20年。 器件闪存的额定寿命至少为10年。

    如需更多信息、请访问该链接： https://www.ti.com/support-quality/quality-policies-procedures/product-shelf-life.html

    此致、

    Adrian

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    所以、如果我们添加 MOSFET 和良好的电路板组件、可以持续10-20年？ 抱歉、如果 Im 问同样的问题。

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    是的、如果组件质量良好、则它们会持续很长时间。

    此致、

    Adrian