[参考译文] TPS22916：分立式 MOSFET 与 TPS22916之间的功耗

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：TPS22916

工具与软件：

嗨、团队：

我想知道如何比较具有 MOSFET 的分立式负载开关电路与负载开关之间的功耗。

MOSFET 的漏电流是计算功耗的唯一参数？请告诉我其他参数以及如何使用来计算电路的功耗。

*负载开关示例

此致、

Hayashi

0 admin 3 个月前

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嗨、Hayashi-San、

想知道如何比较采用 MOSFET 的分立式负载开关电路与负载开关之间的功耗。

对于集成解决方案、我们可以看到一些参数、例如器件的 I_q 和 I_SD。对于热插拔(外部 FET)、数据表中有类似的值(器件启用时的输入电流)、但这只是控制器消耗的电流。需要添加由 FET 引起的漏电流、这将取决于 FET 选择

您是否想在任何特定场景中比较这些解决方案的电源要求？

此致、
Arush

0 admin 3 个月前

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尊敬的 Arush：

因为我想凭借其低 IQ 特性将 TPS22916推广到低功耗应用、而客户可以在这些应用中使用分立式负载开关。但我不确定分立式解决方案会消耗多少功率。

在门关闭期间、功耗将为...

漏源漏电流(nA 或 uA)* Vds (分立式)、正确吗？连接到 VIN 的 PCH MOSFET 和电阻器对功耗的影响是否很小？

TPS22916中的 VIN 静态电流(IQ_VIN)* VIN、是否正确？

此致、

Hayashi

0 admin 3 个月前

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嗨、Hayashi-San、

我对延迟反应表示歉意。

分立式负载开关和 TPS22916之间的主要优势在于集成。 IQ 与分立式实现非常相似、功耗将非常低(主要是由于 FET 泄漏、这将取决于他们选择使用的 FET、但处于 nA 范围内)。

与使用两个 FET 相比、集成的主要优势是单个 IC 解决方案。因此会有一些空间优势。使用集成解决方案时、总体设计工作量也减少。

此致、
Arush

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