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[参考译文] BQ25703A:应用问题

Guru**** 2516500 points
Other Parts Discussed in Thread: BQ25703A

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1429253/bq25703a-application-issues

器件型号:BQ25703A

工具与软件:

 大家好、当我使用 BQ25703A 为电池充电时、输入电压为20V/1A、输出电流约为2A/8V (BQ25703A 焊接在我设计的电路板上)。 我发现图1中的两个 MOS 晶体管严重加热、可能是在55 ℃ 处。 但在使用相同方法测试 EVM 时、两个 MOS 晶体管的温度仅为40 ℃。 我捕捉了 EVM 板上的两个 MOS 栅极的波形(如图2所示)、我自己设计的板上的两个 MOS 晶体管的波形(如图3所示)、但没有看到任何显著差异; 图4显示了我自己设计的电路板的 PCB 布局、输入布线宽度约为3mm 至4mm、图5和图6显示了 MOS 晶体管的选择参数、图7显示了电感器参数、图8显示了 SW 引脚的波形。 希望你们能提供一些改进建议。 我非常期待您的回答、非常 感谢您、

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    您好!

    您是否确定按如下方式修改了底部 FET 栅极驱动器? 我是否建议遵循 EVM 原理图并重复相同的测试?

    此致、

    老虎

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    你(们)好  

    根据参考设计修改原理图并再次进行相同测试后、MOS 温度仍保持在55 ℃。 图1是最新的原理图。 非常感谢

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    大家好、Zhong、

    这个问题可能有两个方面:  

    修改后的设计效率低于参考 BQ25703AEVM。 如果输入电流在相同负载条件下更高、则很容易检查这一点。 如果是、您需要在设计中使用相同或相似的 FET/电感器。  

    2.修改后的设计中用于散热的铜更少。 这与 PCB 设计有关。 您可能会注意到、EVM 在通过散热过孔连接的 FET 区域有更多的铜。 一种好的做法是遵循数据表中概述的 PCB 设计指南并按照 EVM 布局作为起点。  

    此致、

    老虎