[参考译文] UCC21551-Q1：UCC21551-Q1驱动冷却剂

您好、Niya：

[报价 userid="624667" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1427800/ucc21551-q1-ucc21551-q1-driving-coolmos ]1)您对电容器 Cboot &CVDD 的建议值是多少？ 如果电容值增大或减小、电路会受到影响吗？

可以计算这些值以确保这些电容器正常运行。

请参阅  3.1自举电容器  和  3.2 VDD 旁路电容器 以指导如何选择这些元件。

应用手册链接： 针对半桥配置的自举电路选择(修订版 A) 

[报价 userid="624667" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1427800/ucc21551-q1-ucc21551-q1-driving-coolmos ]2)自举电阻的建议值是什么？[/QUOT]

本应用手册还包含一个部分、用于确定中自举电阻器的大小  3.4自举电阻器 .

顺便提一下：

• 在布局中、确保较小的电容器最靠近栅极驱动器引脚放置在与栅极驱动器同一侧。
  • 这将有助于最大限度地减小来自键合线的 VDD VSS 去耦环路杂散电感、这些电感会导致电源上出现振铃
• 确保自举二极管的额定值高于总线电压(增加了裕度)、因为二极管故障可能会导致击穿  

如果您有任何其他问题、请在下面随时提问。

此致、

Hiroki

您好、Niya：

这大约是使用的典型值。

10uF 的 VDD 电容器足以满足您的应用需求。

此致、

Hiroki

您好、Niya：

是的、这对于自举电容器也足够了。

如果您还有其他问题、请告诉我。

此致、

Hiroki

您好、Niya：

这不会影响电路。

只要自举电容器大于总栅极电容的10倍、它就能够按预期运行。

此致、

Hiroki

您好、Niya：

理想情况下、这些电容器应尽可能靠近栅极驱动器引脚、以尽可能提高效率。

我们需要尽可能地减少 VDD VSS 去耦环路中的杂散迹线电感量。

因此、最好将栅极驱动器上的 VDD 电容计算隔离开来。

如果您有任何其他问题、请告诉我。

此致、

Hiroki