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[参考译文] LM51772:我能否使用 GaN HEMT (FET)

Guru**** 1807890 points
Other Parts Discussed in Thread: LM51772
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1431270/lm51772-can-i-use-gan-hemts-fets

器件型号:LM51772

工具与软件:

您好、TI 专家团队、  

有没有人使用带有低电压 GaN HEMT 作为外部 MOSFET 的 LM51772?
如果是、开关频率是多少?输入和输出值是多少?

因为我想尝试一下、但 UGS 不得超过6V。 根据 LM51772的数据表、自举过压阈值最大为5.9V。

但是、如果我理解正确、那么电压可以上升到5.9V 以上、对吧? 这将减小 GaN HEMT。

感谢您提供的信息

曼努埃尔

  • 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

    您好、Manuel:

    是的、由于栅极驱动器信号电平为5V、LM51772可与 GaN MOSFET 配合使用。

    添加一些保护性齐纳二极管来防止栅极信号上的尖峰在 GaN 上造成问题可能会有所帮助。

    此致、

     Stefan