工具与软件：
我将设计一个输出电压(V_DS)为+1.6V 且输出电流范围为5至8A 的全 H 桥电路。 负载连接在两个 H 桥之间。 我考虑了使用 UCC27211栅极驱动器 IC、也研究了其他 IC、例如 UCC27284-Q1、UCC27288 3A 和 UCC27289。 但是、我不确定这些是否能够有效地驱动我使用的 MOSFET。 通过控制全桥开关、电压在+1.6V 和-1.6V 之间变化。 在第一种情况下、电流从 S1流向负载、然后流向 S4；在第二种情况下、负载电流从 S3流向负载、然后流向 S2。
您能否推荐哪款驱动器 IC 更适合我的要求？
我的系统应用包括 CDI 水净化、负载为 CDI 细胞模块。 以下是它的工作原理：
CDI 模块的电压为1.6V、输出电流为5-8A。 我已经设计了 LM25145 DC-DC 转换器来满足 VDC=1.6V/8A 的要求。 我使用的是 ADM20N06E FET、但我愿意提供建议。 我是否可以使用单个5-12V 电源为两个半桥的驱动 IC 提供偏置电压、或者我是否应该为每个半桥使用单独的5-12V 电源？ 我需要隔离式还是非隔离式驱动器 IC？
此外、我需要为开关 S5使用电源 IC、因为它的电压会改变方向。 我认为、为了实现这一点、需要使用隔离式驱动器 IC、因为 S5可能需要浮动电源。 您可以推荐一个吗？
非常感谢。 我已根据您的建议设计了一个使用 UCC27624的驱动器电路、并进行了相应的连接。 此外、我以背对背配置连接了两个 MOSFET、并使用 PES1-S5-S12-M_TR 实现隔离式电源。 您能否确认电路是否有任何问题？ 
尊敬的 Shah：
我建议在12V 偏置和 ENA/ENB 之间放置一个10k Ω 电阻器(不在12V 和 VDD 之间)。 您的10k Ω 栅极电阻器非常高、并且产生的上升/下降时间非常慢、但是由于您只使用 MOSFET 作为每2分钟切换一次开/关、因此应该是可以的(我仍然建议尝试使用较低的栅极电阻来产生您所需的上升/下降时间)。
对于放电电路、我建议使用 UCC27614、因为这是我们的新一代单通道驱动器(UCC27624是我们的双通道)。 请确保旁路电容器尽可能靠近器件、从 VDD 到 GND。 我还建议在 EN 和偏置电源之间使用10k Ω 电阻器、并在中使用小型滤波器。 我还建议将 FET 的源极连接到隔离式电源的0V 引脚、以将驱动器和 FET 保持在同一基准电压下：
谢谢！
Rubas
