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器件型号:BQ77216 工具与软件:
我使用的电源保护 FET 是 N-FET。 它们连接了共漏极。 从源极到栅极、它们具有内置保护齐纳二极管、因此我没有添加一个。
问题是第一个 FET Q1无法完全导通、并在其两端产生2.5V 的压降。 第二个 FET Q3仅具有预期的二极管压降。 为什么这不起作用、您可以推荐一个修复或不同的部件吗? 原理图已包含在内。
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我使用的电源保护 FET 是 N-FET。 它们连接了共漏极。 从源极到栅极、它们具有内置保护齐纳二极管、因此我没有添加一个。
问题是第一个 FET Q1无法完全导通、并在其两端产生2.5V 的压降。 第二个 FET Q3仅具有预期的二极管压降。 为什么这不起作用、您可以推荐一个修复或不同的部件吗? 原理图已包含在内。